|
|
|
부품번호 | 2N718A 기능 |
|
|
기능 | NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR | ||
제조업체 | CDIL | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR
2N718A
TO-18
Metal Can Package
General Purpose Transistor.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
VALUE
Collector Emitter Voltage
VCER
50
Collector Base Voltage
VCBO
75
Emitter Base Voltage
VEBO
7.0
Power Dissipation @Ta=25ºC
PD 500
Derate Above 25ºC
2.86
Power Dissipation @ Tc=25ºC
PD 1.8
Derate Above 25ºC
10.3
Operating and Storage Junction
Tj, Tstg
-65 to +200
Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise )
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
Collector Emitter Voltage
Collector Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Cut off Current
Emitter Cut off Current
DC Current Gain
Collector Emitter Saturation Voltage
VCER(SUS)* IC=100mA,RBE<10Ω
VCBO IC=100µA.IE=0
VEBO IE=100µA, IC=0
ICBO VCB=60V, IE=0
VCB=60V, IE=0
Ta=150ºC
IEBO VEB=5V, IC=0
hFE IC=0.1mA,VCE=10V
IC=10mA,VCE=10V
IC=10mA,VCE=10V
Ta= -55 ºC
IC=150mA,VCE=10V
IC=500mA,VCE=10V
VCE(Sat)* IC=150mA,IB=15mA
Base Emitter Saturation Voltage
VBE(Sat)* IC=150mA,IB=15mA
* Pulse Test : Pulse Width < 300µs, Duty cycle < 2%
VALUE
MIN MAX
50
75
7.0
10
10
10
20
35
20
40 120
20
1.5
1.3
UNIT
V
V
V
mW
mW/ºC
W
mW/ºC
ºC
UNIT
V
V
V
nA
µA
nA
V
V
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
| |||
구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ 2N718A.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N718 | NPN SILICON TRANSISTOR | Micro Electronics |
2N718 | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 3-Pin TO-18 | New Jersey Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |