|
|
|
부품번호 | 2N956 기능 |
|
|
기능 | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | ||
제조업체 | Motorola Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
2N718A
2N956, 2N1711
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Total Device Dissipation (a T^ = 25°C
Derate above 25°C
Total Device Dissipation (S Tq = 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
2N718A
Symbol 2N956 2N1711
VCER
VCBO
VEBO
Pd
50
75
7.0
500
2.86
800
4.57
pd
TJ- Tst g
1.8
10.3
3.0
17.15
- 65 to + 200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mW
mW,'°C
Watts
mW/°C
°C
2N718A JAN, JTX,
JTXV AVAILABLE
CASE 22, STYLE 1
TO-18 (TO-206AA)
GENERAL PURPOSE
TRANSISTOR
NPN SILICON
2N718A: See 2N3019 for graphs.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless otherwise noted.!
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
dC = 100 mAdc, pulsed; Rbe == 10 ohms)
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC = 100 tiAdc, Ie = 0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
{IE = 100 fiAdc, lc = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, Ie = 0)
(Vcb = 60 Vdc, El = 0, Ta = 150°C)
Emitter Cutoff Current
(Vbe = 5.0 Vdc, lc = 0)
2N718A,
2N956, 2N1711
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
dC = 0.01 mAdc, Vce = 10 Vdc)
2N956, 2N1711
Symbol
VCER(sus)
v (BR)CBO
V(BR)EBO
>CBO
'EBO
hFE
dC = 0.1 mAdc, VC E = 10 Vdc)
2N718A,
2N956, 2N1711
C(l = 10 mAdc, V C E = 1° Vdc >
2N718A,
2N956, 2N1711
C(l =
10 mAdc, VC e
=
1°
Vdc
'
TA
=
-55°C)
2N718A,
2N956, 2N1711
Min
50
75
7.0
-
-
20
20
35
35
75
20
35
Typ
—
—
—
0.001
-
Max
—
—
—
0.01
10
0.010
0.005
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
/xAdc
/u.Adc
-
(lC = 150 mAdc, Vce = 10 Vdc)
C(l = 500 mAdc, V C E = 10 Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltaged)
(lC = 150 mAdc, Ifl = 15 mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltaged)
(lC = 150 mAdc, Ib = 15 mAdc)
(1) Pulse Test: Pulse Width s 300 ixs, Duty Cycle s 2.0%.
2N718A,
2N956, 2N1711
2N718A,
2N956, 2N1711
VCE(sat)
v BE(sat)
40
100
20
40
—
—
120
300
0.24
1.0
1.5
1.3
Vdc
Vdc
4-7
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ 2N956.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N956 | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (NPN SILICON) | Boca Semiconductor Corporation |
2N956 | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | Motorola Semiconductors |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |