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부품번호 | BCW68F 기능 |
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기능 | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | ||
제조업체 | Motorola Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 1 페이지수
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
—Collector Current Continuous
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
•c
BCW67 BCW68
32 45
45 60
5.0
800
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
•Total Device ADissipation, T = 25°C
Derate above 25°C
PD
Storage Temperature
T stg
•Thermal Resistance Junction to Ambient
RflJA
•Package mounted on 99.5% alumina 10 x 8 x 0.6 mm.
Max
350
2.8
150
357
Unit
mW
mW/°C
°C
°C/W
BCW67,A,B,C
BCW68,F,G
CASE 318-02/03, STYLE 6
SOT-23 (TO-236AA/AB)
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
PNP SILICON
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
C(I = 10 mAdc, Ib = 0)
BGW67 Series
BCW68 Series
Collector-Emitter Breakdown Voltage
c(l = 10/xAdc, VE b = 0)
BCW67 Series
BCW68 Series
Emitter-Base Breakdown Voltage
E(l = 10 fiAdc, lc = 0)
Collector Cutoff Current
(Vqe = 32 Vdc, Ie = 0)
(Vce = 45 Vdc, Ig = 0)
(VcE = 32 Vdc, Ib = 0, TA = 150°C)
(VC E = 45 Vdc, Ib = 0. TA = 150°C)
Emitter Cutoff Current
(VE b = 4.0 Vdc, Ig = 0)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
dC = 10 mAdc, Vce = 1-0 Vdc)
BCW67 Series
BCW68 Series
BCW67 Series
BCW68 Series
BCW67,A,68,F
BCW67B,68G
BCW67C
dC = 100 mAdc, Vce = 10 Vdc>
BCW67,A,68,F
BCW67B,68G
BCW67C
dC = 500 mAdc, Vce = 1-0 Vdc)
BCW67,A,68,F
BCW67B,68G
BCW67C
Collector-Emitter Saturation Voltage 0c = 100 mAdc, Bl = 10 mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage 0c = 500 mAdc, Ib = 50 mAdc)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
—Current-Gain Bandwidth Product
dC
=
20 mAdc, Vce
=
1°
vdc
-
f
=
10° MHz)
Output Capacitance
(Vcb
=
1°
vdc
-
E[
=
°- f
=
1 -° MHz)
Input Capacitance
(Veb
=
0-5 Vdc, Ig
=
°- f
=
1 -»
MHz
>
Noise Figure Oc = 0.2 mAdc, Vce = 5.0 Vdc, Rs = 10 kO,
BWf = 1.0 kHz,
= 200 Hz)
Symbol
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)EBO
ICES
lEBO
"FE
VCE(sat)
VBE(sat)
C bo
Cjbo
NF
45
60
5.0
75
120
180
100
160
250
35
60
100
Typ
Max
Unit
Vdc
nAdc
jxAdc
nAdc
250
400
630
Vdc
Vdc
MHz
PF
PF
3-17
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구 성 | 총 1 페이지수 | ||
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구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BCW68 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR | Zetex Semiconductors |
BCW68 | PNP Silicon AF Transistors | Infineon Technologies AG |
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