PDF BCW69 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	BCW69
Descripción	PNP General Purpose Amplifier
Fabricantes	Galaxy Microelectronics
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No Preview Available ! PNP General Purpose Amplifier FEATURES z Low current (max. 100 mA) z Low voltage (max. 45 V). Pb Lead-free Production specification BCW69/BCW70 APPLICATIONS z General purpose switching and amplification. ORDERING INFORMATION Type No. Marking BCW69 BCW70 H1 H2 SOT-23 Package Code SOT-23 SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Symbol Parameter Value VCBO Collector-Base Voltage -50 VCEO VEBO ICM IC IBM PD Rth j-a Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Peak collector current Collector Current -Continuous peak base current Total Device Dissipation thermal resistance from junction to ambient -45 -5 -200 -100 -200 250 500 Tj, Junction Temperature 150 Tstg Tamb Storage Temperature operating ambient temperature -65 to +150 -65 to +150 Unit V V V mA mA mA mW K/W ℃ ℃ ℃ C289 www.gmicroelec.com Rev.A 1 1 page

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Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
BCW60	NPN general purpose transistors	NXP Semiconductors
BCW60	NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain)	Siemens Semiconductor Group
BCW60	NPN Silicon AF Transistors	Infineon Technologies AG
BCW60	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors	Diotec Semiconductor

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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