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MFE120 데이터시트 PDF




Motorola Semiconductors에서 제조한 전자 부품 MFE120은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MFE120 자료 제공

부품번호 MFE120 기능
기능 DUAL-GATE MOSFET VHF AMPLIFIER
제조업체 Motorola Semiconductors
로고 Motorola Semiconductors 로고


MFE120 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MFE120 데이터시트, 핀배열, 회로
MAXIMUM RATINGS
Rating
Drain-Source Voltage
Drain Current
@Total Device Dissipation T^ = 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
vDs
id
Pd
TJ' Tstg
Value
+ 25
30
300
1.7
-65 to +175
Unit
Vdc
mAdc
mW
mW/°C
°C
MFE120
MFE121
MFE122
CASE 20-03, STYLE 9
TO-72 (TO-206AF)
DUAL-GATE MOSFET
VHF AMPLIFIER
N-CHANNEL DEPLETION
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
(ID = 100 jtAdc, Vs = 0, Vqis = -4.0 V, Vq2S = + 4.0 V)
Gate 1 -Source Breakdown Voltage
G(I
1
=
±10/iAdc, VG 2S
=
0)
Gate 2-Source Breakdown Voltage
G2(l = ±10nAdc, VG 2S = 0)
Gate 1 Leakage Current
(VG1S = + 60 Vdc, VG2S = 0- VDS = 0)
Gate 2 Leakage Current
(VG2S = +6.0 Vdc, VG 1S = 0. Vqs = 0)
Gate 1 to Source Cutpff Voltage
(V DS = 15 Vdc, VQ2S = 40 vdc, Id = 200 MAdc)
Gate 2 to Source Cutoff Voltage
(Vds = 15 Vdc, Vqis = 0, Id = 200 ,iAdc)
ON CHARACTERISTICS
Zero-Gate-Voltage Drain Current
(v D s = 15 vdc, vG1s = o, v G2S
4.0 Vdc)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
MFE120
MFE121
MFE122
Forward Transfer Admittance (Gate 1 to Drain)
(Vds = 15 Vdc, VQ2S = 4.0 vdc,
ID = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)
Input Capacitance
(V D s = 15 Vdc, VG2 s = 4.0 Vdc,
'D = 'DSS- f = 1.0 MHz)
Reverse Transfer Capacitance
(Vds = 15 Vdc, VG 2S = 4.0 Vdc,
Dl = 6.0 mAdc, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance
(V D S = 15 Vdc, V G 2S = 4.0 Vdc,
ID = 'DSS- f = 10 MHz)
MFE 120,22
MFE121
MFE120,22
MFE121
MFE 120,22
MFE121
Symbol
Typ Max
V(BR)DSX
25
Vdc
v (BR)G1SO
±7.0
±20 Vdc
v (BR)G2SO
±7.0
±20 Vdc
'G1SS
20 nAdc
— —!G2SS
20 nAdc
v G1S(off)
-4.0
Vdc
v G2S(off)
-4.0
Vdc
lYfsl
Cjss
C rss
Coss
2.0 7.0
18
5.0 10 30
2.0 9.0
20
8000
10,000
-
-
4.5
4.5
0.023
18,000
20,000
7.0
6.0
/xmhos
pF
PF
- PF
2.5 4.0
2.5 3.5
6-117




MFE120 pdf, 반도체, 판매, 대치품
MFE120, MFE121, MFE122
FIGURE 8 - GAIN REDUCTION
u
f = 200 MHz
20
40
+2.0
+4.0
VG2S.6ATE 2 TO SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
20
CO
s 16
So 12
oz 10
£? 8.0
> on
O
4U
JC
FIGURE 9 - CONVERSION POWER GAIN
60 MHz
?nn mh»
+6.0
J.35
0.65
0.95
1.26
155
LOCAL OSCILLATOR INJECTION LEVEL AT GATE 1 (Vrrns)
6-120

4페이지












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