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부품번호 | 2N916 기능 |
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기능 | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | ||
제조업체 | Motorola Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 1 페이지수
2N916
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Total Device Dissipation (S Ta = 25°C
Derate above 25°C
@Total Device Dissipation Tc = 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
Pd
Pd
TJ- Tstg
Value
25
45
5
0.36
2.06
1.2
6.9
- 65 to + 200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Watts
mWVC
Watts
mW/°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Sustaining Voltaged) Oc = 30 mA, Ib = 0)
Collector-Base Breakdown Voltage Oc = 10 mA, Ie = 0)
Emitter-Base Breakdown Voltage (Ie = 10 fjA, lc = 0)
Collector Cutoff Current (Vqb = 30 V, lg = 0)
Collector Cutoff Current <& 150°C (Vcb = 30 V, lg = 0)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gaind)
c(l = 10 mA, V C E = 10 V)
c(l = 10 mA, VC e = 1.0 V,
- 55°C)
Collector-Emitter Saturation Voltage
OC = 10 mA, Ib = 1.0 mA)
Base-Emitter Saturation Voltage
Oc = 10 mA, Ib = 1.0 mA)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VC b = 5.0 V, El = 0)
Input Capacitance
(V EB = 0.5 V, Cl = 0)
Input Impedance, f = 1.0 kHz
C(l = 1.0 mA, V C E = 5.0 V)
C(l = 5.0 mA, Vce = 5.0 V)
Small-Signal Current Gain, f = 1.0 kHz
C = 1.0 mA, V C e = 50 V)
C(l = 5.0 mA, Vce = 5-0 V)
Magnitude of Forward Circuit Transfer Ratio, Common-Emitter
c(l = 10 mA, VC e = 15 V)
Output Admittance, f = 1.0 kHz
c(l = 1.0 mA, Vce = 5.0 V)
C(l = 5.0 mA, Vce = v5 -° >
Collector Base Time Constant
C = 10 mA, Vcb = 10 V, f = 40 MHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width « 300 ^s, Duty Cycle « 1.0%.
JAN AVAILABLE
CASE 22, STYLE 1
TO-18 (TO-206AA)
GENERAL PURPOSE
TRANSISTOR
NPN SILICON
Refer to 2N3946 for graphs.
Symbol
v CEO(sus)
v (BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
!CBO
hFE
Min
25
45
5.0
-
-
VCE(sat)
v BE<sat)
Cobo
Cjbo
h ie
h fe
Ihfel
"oe
rb'C c
—
—
-
40
50
3.0
-
—
Max
—
—
—
10
10
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
/xAdc
Vdc
6.0
10
6000
2000
200
250
—
PF
pF
ohms
ohms
—
75 jLtmho
125 /xmho
300 ps
4-15
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구 성 | 총 1 페이지수 | ||
다운로드 | [ 2N916.PDF 데이터시트 ] |
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구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N914 | NPN Transistoor | Telefunken |
2N914 | Transistor | ETC |
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