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BSW68A 데이터시트 PDF




Motorola Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BSW68A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BSW68A 자료 제공

부품번호 BSW68A 기능
기능 NPN SILICON TRANSISTOR
제조업체 Motorola Semiconductors
로고 Motorola Semiconductors 로고


BSW68A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BSW68A 데이터시트, 핀배열, 회로
T
BSW66A
BSW67A
BSW68A
CASE 79, STYLE 1
TO-39 (TO-205AD)
TRANSISTOR
NPN SILICON
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol BSW BSW BSW
66A 67A 68A
Collector-Emitter Voltage
VCEO 100 120 150
Collector-Base Voltage
VCBO 100 120 150
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
@Total Device Dissipation Ta = 25°C
Derate above 25°C
VEBO
ic
PD
6.0
2.0
0.8
4.57
@Total Device Dissipation Tc = 25°C
Derate above 25°C
pd
5.0
28.6
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Tj. stg -65 to +200
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Thermal Resistance, Junction to Case
Rgjc
35
Thermal Resistance, Junction to Ambient R#JA
220
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Amp
Watt
mW/°C
Watt
mW/°C
°C
Unit
°C/W
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)
OFF CHARACTERISTICS
Characteristic
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
BSW66A
BSW67A
BSW68A
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC = 100 uAdc)
BSW66A
BSW67A
BSW68A
Collector-Base Cutoff Current
(VcB = 50 V, = 0)
(VcB = 60 V, = 0)
(VcB = 75 V, = 0)
(VcB = 50 V, l£ = 0, Tj = 1 50°C)
(VcB = 60 V, l£ = 0, Tj = 1 50°C)
(VCB = 75 V, Ie = 0, Tj = 1 50°C)
BSW66A
BSW67A
BSW68A
BSW66A
BSW67A
BSW68A
Emitter-Base Cutoff Current
(Veb = 3 V, Ic = 0)
(Veb = 6 V, Ic = 0)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
dC = 10 mA, Vce = 5 V)
dC = 100 mA, Vce = 5 V)
dC = 500 mA, VcE = 5 V)
dC = 10 A, VCE = 5 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC = 100 mA, Ib = 10 mA)
(IC = 500 mA, Ib = 50 mA)
dC = 1.0 A, IB = 150 mA)
Emitter-Base Saturation Voltage
(IC = 100 mA, Ib = 10 mA)
dC = 500 mA, Ib = 50 mA)
(IC = 1.0 A, Ib = 150 mA)
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth Product
(IC = 1 00 mA, VcE = 20 V, f = 35 MHz)
Output Capacitance
(VcB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz)
Input Capacitance
mh(Veb = o, ic = o, f = 1
Z
)
Symbol Min
V(BR)CEO
V(BR)CBO
ICBO
100
120
150
100
120
150
lEBO
hFE
VCE(sat)
30
40
30
15
VBE(sat)
ft
Cobo
Cjbo
50
Max
100
100
100
100
100
100
100
100
0.15
0.40
1.0
0.9
1.1
1.4
20
300
Unit
Vdc
Vdc
nAdc
^Adc
nAdc
I^Adc
Vdc
Vdc
MHz
PF
pF
4-244





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다운로드[ BSW68A.PDF 데이터시트 ]

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