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부품번호 | 2N1131 기능 |
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기능 | SILICON PNP TRANSISTOR | ||
제조업체 | Central Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
2N1131
SILICON
PNP TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N1131 is a
silicon PNP transistor mounted in a hermetically
sealed package designed for medium current
switching applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-39 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Collector-Base Voltage
VCBO
Collector-Emitter Voltage (RBE=10Ω)
VCER
Collector-Emitter Voltage
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Continuous Collector Current
IC
Power Dissipation (TC=25°C)
PD
Power Dissipation
PD
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
50
50
35
5.0
0.6
2.0
0.6
-65 to +200
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=30V
ICBO
VCB=30V, TA=150°C
ICBO
VCB=50V
IEBO
VEB=2.0V
BVCBO
IC=100μA
50
BVCER
IC=100mA, RBE=10Ω
50
BVCEO
IC=100mA
35
BVEBO
IE=100μA
5.0
VCE(SAT) IC=150mA, IB=15mA
VBE(SAT) IC=150mA, IB=15mA
hFE VCE=10V, IC=5.0mA
15
hFE VCE=10V, IC=150mA
20
fT
VCE=10V, IC=50mA, f=20MHz
50
Cob VCB=10V, IE=0, f=100kHz
Cib VEB=0.5V, IC=0, f=100kHz
MAX
1.0
100
100
100
1.5
1.3
45
45
80
UNITS
V
V
V
V
A
W
W
°C
UNITS
μA
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
R0 (3-April 2013)
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ 2N1131.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N1131 | LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR | Microsemi |
2N1131 | SILICON PNP TRANSISTOR | Central Semiconductor |
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