Datasheet.kr   

2N3896 데이터시트 PDF




Digitron Semiconductors에서 제조한 전자 부품 2N3896은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2N3896 자료 제공

부품번호 2N3896 기능
기능 SILICON CONTROLLED RECTIFIER
제조업체 Digitron Semiconductors
로고 Digitron Semiconductors 로고


2N3896 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 7 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

2N3896 데이터시트, 핀배열, 회로
High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
2N3870-2N1850,
2N3896-2N3899,
2N6171-2N6174
SILICON CONTROLLED RECTIFIER
FEATURES
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak repetitive forward or reverse blocking voltage (1)
(TJ = -40 to 100°C, ½ sine wave, 50-400 Hz, gate open)
2N3870, 2N3896, 2N6171
2N3871, 2N3897, 2N6172
2N3872, 2N3898, 2N6173
2N3873, 2N3899, 2N6174
VRRM or VDRM
100
200
400
600
Volts
Peak non-repetitive forward or reverse blocking voltage (t ≤
5ms)
2N3870, 2N3896, 2N6171
2N3871, 2N3897, 2N6172
2N3872, 2N3898, 2N6173
2N3873, 2N3899, 2N6174
VRSM or VDSM
150
330
660
700
Volts
Average on-state current (2)
(TC = -40 to 65°C)
(TC = 85°C)
Peak non-repetitive surge current
(one cycle, 60Hz) (TC = 65°C)
Circuit fusing
(TC = -40 to 100°C)
(t = 1 to 8.3 ms)
IT(AV) 22 Amps
11
ITSM 350 Amps
I2t 510 A2s
Peak gate power
Average gate power
Peak forward gate current
Peak gate voltage
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Stud torque
PGM
PG(AV)
IGM
VGM
TJ
Tstg
-
20
0.5
2
10
-40 to 100
-40 to 150
30
Watts
Watt
Amps
Volts
°C
°C
In. lb.
Thermal resistance, junction to case
2N3870 – 2N3873, 2N3896-2N3899
2N6171-2N6174
RӨJC 0.9 °C/W
1
Note 1: Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices shall not have a positive bias applied to the gate concurrently with a negative potential on the anode. Devices should not be
tested with a constant current source for forward or reverse blocking capability such that the voltage applied exceeds the rated blocking voltage.
Note 2: Isolated stud devices must be derated an additional 10 percent.
Rev. 20150306




2N3896 pdf, 반도체, 판매, 대치품
High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
MECHANICAL CHARACTERISTICS
2N3896-2N3899
Case TO-48
Marking
Alpha-numeric
Polarity
Cathode
2N3870-2N1850,
2N3896-2N3899,
2N6171-2N6174
SILICON CONTROLLED RECTIFIER
Rev. 20150306

4페이지










2N3896 전자부품, 판매, 대치품
High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
2N3870-2N1850,
2N3896-2N3899,
2N6171-2N6174
SILICON CONTROLLED RECTIFIER
Rev. 20150306

7페이지


구       성 총 7 페이지수
다운로드[ 2N3896.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
2N389

Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin TO-39

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
2N3890

Phase Control SCR 175 Amoeres Average 1200 Volts

Powerex Power Semiconductors
Powerex Power Semiconductors

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵