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MFE3002 데이터시트 PDF




Motorola Semiconductors에서 제조한 전자 부품 MFE3002은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MFE3002 자료 제공

부품번호 MFE3002 기능
기능 MOSFET CHOPPER
제조업체 Motorola Semiconductors
로고 Motorola Semiconductors 로고


MFE3002 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MFE3002 데이터시트, 핀배열, 회로
MAXIMUM RATINGS
Rating
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
@Total Device Dissipation Tq = 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
vDs
Vdg
vgs
id
pd
TJ- Tstg
Value
15
20
±20
30
200
1.4
-65 to +175
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mW
mW/°C
°C
MFE3002
CASE 20-03, STYLE 7
TO-72 (TO-206AF)
MOSFET
CHOPPER
N-CHANNEL ENHANCEMENT
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Zero-Gate-Voltage Drain Current
(vDs = +10 vdc, vG s = o)
(Vqs = + 10 Vdc, Vqs = 0, Tc = 125°C)
Gate Reverse Current
(vG s = ±10 vdc, vDS = o)
Drain-Source Breakdown Voltage
(Vqs = o, di = io/<Adc)
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(Vqs = +10 Vdc, Iq = 10 /uAdc)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
,
Input Capacitance
(Vqs = +10 Vdc, Vqs = 0, f = 1.0 MHz)
Reverse Transfer Capacitance
(VdS = 0, Vqs = 0, f = 1.0 MHz)
Drain-Substrate Capacitance
<VD(SUB) = + 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
Static Drain-Source On Resistance
(VQS = +10 Vdc, Dl = 0, f = 1.0 kHz)
Symbol
|
Min
|
Max
Unit
iDSS
'gss
V(BR)DS
-
.
10
100
±100
nAdc
pAdc
-15 - Vdc
V GS(TH)
3.0 Vdc
Cj Ss
c rss
Cd(sub)
r ds(on)
5.0 PF
1.0 PF
4.0 "pF
100 Ohms
6-139





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