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2N2368 데이터시트 PDF




Motorola Semiconductors에서 제조한 전자 부품 2N2368은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2N2368 자료 제공

부품번호 2N2368 기능
기능 SWITCHING TRANSISTOR
제조업체 Motorola Semiconductors
로고 Motorola Semiconductors 로고


2N2368 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N2368 데이터시트, 핀배열, 회로
2N2368
2N2369,A
2N3227
2N2369A JAN, JTX,
JTXV AVAILABLE
CASE 22, STYLE 1
TO-18 (TO-206AA)
SWITCHING TRANSISTOR
NPN SILICON
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
2N2368,9,A
2N3227
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
2N2368,9,A
2N3227
Collector Current
(10 fisec pulse)
Collector Current Continuous
2N2369A,
2N3227
Total Device Dissipation
@ TA = 25°C
Derate above 25°C
Total Device Dissipation
(a TC = 25°C
Derate above 25°C
2N3227
Total Device Dissipation
(a Tc = 100°C
Derate above 100°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
vCEO
V CES
v CBO
v EBO
!c(Peak)
<C
Value
15
20
40
40
4.5
6.0
500
200
PD
Pd
PD
TJ. Tstg
0.36
2.06
1.2
6.85
.68
6.85
- 65 to + 200
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.;
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown VoltageO)
(IC = 10 mAdc, Vbe = 0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
C(l = 10,nA, V B e = 0)
Collector-Emitter Sustaining VoltageO)
(JC = 10 mAdc, Bl = 0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(lC = 10 ,uA, B| = 0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE = 10 fjAdc, El = 0)
2N3227
2N2368, 2N2369, 2N2369A
2N2368, 2N2369, 2N2369A
2N3227
Collector Cutoff Current
(VC E = 20 Vdc, V BE = 3.0 Vdc)
Collector Cutoff Current
(VC B = 20 Vdc, El = 0)
2N3227
2N2368, 2N2369
2N3227
Symbol
v (BR)CEO
V (BR)CES
vCEO(sus)
v (BR)CBO
v (BR)EBO
] CEX
'CBO
Min
20
40
15
40
4.5
6.0
-
-
Max
-
-
-
-
-
0.2
0.4
0.2
(Vcb = 20 Vdc, El = 0, TA = 150X)
Collector Cutoff Current
(Vce = 20 Vdc, V BE = 0)
Base Current
(VCe = 20 Vdc, VBE = 0)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain(1)
(lC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
2N2368, 2N2369, 2N2369A
2N3227
2N2369A
2N2369A
2N2368
2N2369
2N2369A
2N3227
30
50
'CES
0.4
'B 0.4
hFE
20 60
40 120
120
100 300
(lC = 10 mAdc, V CE = 1.0 Vdc, TA = -55°C)
2N2368
2N2369
2N3227
10
20
40 -
(lC = 10 mAdc, VCE = 0.35 Vdc, TA = ~55°C)
dC = 30 mAdc, Vce = °- 4 Vc|c)
2N2369A
2N2369A
20
30 -
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
mA
mA
Watt
mW/t
Watts
mW/°C
Watts
mW/°C
°C
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
juAdc
/xAdc
/xAdc
/xAdc
4-32




2N2368 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2N2368, 2N2369.A, 2N3227
FIGURE 8 MAXIMUM CHARGE DATA
bUU
200
100
~~'
50
ov -
1 oo°c
b"l
Q„/3 = 10-
1 11
=Qi, fir
40
,/
/
/
fy
/*
/
'^'
^
'.
'/>'
i
/
/ /I
.
/
7/ /^ /
i'
//
V'
-4
t .-
/' /
Qa, v c - 1U V
'Q A, VCC
V
FIGURE 9 Qj TEST CIRCUIT
3VO W\r
w270
10 pf max
VALUES REFER TO
cl = 10 mA TEST POINT
<C 1 nnssec -• V*-
_1 Cs <4pf
in
5 10 20
50 100
cl , COLLECTOR CURRENT (mA)
FIGURE 10 TURN-OFF WAVE FORM
FIGURE 11 STORAGE TIME EQUIVALENT TEST CIRCUIT
)-Jwy
<. _J Cs
3 pf
1.0
t3
o5> 0.8
g 0.6
2
u-4
1
>
0.2
FIGURE 12 MAXIMUM COLLECTOR SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
1
lc == 3nlA
1 lc= 1 mA
=30 m \ \lc 5C mA
v
\
\
\
\ lc == 1( OrnA
=- TJ
2 >°C -
0.05
0.1
0.5 1.0
l„ BASE CURRENT (mA)
4-35

4페이지












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