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부품번호 | MMBT2222 기능 |
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기능 | GENERAL PURPOSE NPN TRANSISTORS | ||
제조업체 | TIPTEK | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
MMBT2222/MMBT2222A
GENERAL PURPOSE NPN TRANSISTORS
FEATURES
HIGH DC CURRENT GAIN
EPITAXIAL PLANAR DIE CONSTRUCTION
COMPLEMENTARY PNP YTPE AVAILABLE(MMBT2907A)
PB FREE PRODUCT ARE AVAILABLE :98.5% SN ABOVE
MECHANICAL DATA
CASE:SOT-23
TERMINALS:SOLDERABLE PER MIL-STD-202,
METHOD 208
APPROX. WEIGHT:0.008 GRAM
Pb Free: MMBT2222/MMBT2222A
Halogen Free: MMBT2222-H/MMBT2222A-H
CASE:SOT-23
DIMENSIONS IN MILLIMETERS AND (INCHES)
MAXIMUM RATINGS
RATINGS AT 25°C AMBIENT TEMPERATURE UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.
PATING
SYMBOL
COLLECTOR − EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR − BASE VOLTAGE
EMITTER − BASE VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT − CONTINUOUS
VCEO
VCBO
VEBO
IC
TOTAL DEVICE DISSIPATION
PD
OPERATING AND STORAGE JUNCTION TEMPERATURE
RANGE
TJ;TSTG
NOTE:1.Indicates Data in addition to JEDEC Requirements.
MMBT2222
30
60
5.0
600
225
- 55 TO +150
MMBT2222A
40
75
6.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
℃
STD-2008-Z3
PAGE.1
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.01
RS=OPTIMUM
SOURCE
RESISTANCE
IC=1.0mA,RS=150Ω
IC=500μA,RS=200Ω
IC=100μA,RS=2.0KΩ
IC=50μA,RS=4.0KΩ
0.1 1 10 100
f,FREQUENCY(kHz)
Fig.5- Frequency Effects
100
10
1
0.1
Ceb
CCb
1 10 100
REVERSE VOLTAGE(VOLTS)
Fig.7-Capacitances
MMBT2222/MMBT2222A
10
f=1.0kHz
8
6
IC=50μA
100μA
500μA
1.0mA
4
2
0
10
100 1000
10000
100000
RS,SOURCE RESISTANCE(OHMS)
Figure.6-Source Resistance Effects
1000
VCE=20V
TJ=25℃
100
10
1 10 100
IC,COLLECTOR GURRENT(mA)
Fig.8-Current-Gain Bandwidth Rroduct
10
0.9 TJ=25℃
0.8 VBE(sat)@IC/IB=10
1
0.7
0.6
0.05.1 VBE(on)@VCE=10V
0.4
0.3
00..201
VCE(sat)@IC/IB=10
0.1
0.001
01.10 20 10
1.0V
TJ=25°C
40 100 60
100800
IC,COLLECTOR CURRENT(mA)
Fig.-9 "On" Voltages
STD-2008-Z3
1 10
0.5
01
-0.5
-10.1
-1.5
0-2.01
-2.5
0.-03 01
10
RθVCforVCE(sat)
RTθVJ=Bf2o5r°VCBE
2100 40 100 60 10080
IC,COLLECTOR CURRENT(mA)
Fig.-10 Temperature Coefficients
PAGE.4
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MMBT2222 | GENERAL PURPOSE NPN TRANSISTORS | TIPTEK |
MMBT2222 | Diode ( Rectifier ) | American Microsemiconductor |
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