Datasheet.kr   

GA301A 데이터시트 PDF




Digitron Semiconductors에서 제조한 전자 부품 GA301A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GA301A 자료 제공

부품번호 GA301A 기능
기능 SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
제조업체 Digitron Semiconductors
로고 Digitron Semiconductors 로고


GA301A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 3 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

GA301A 데이터시트, 핀배열, 회로
GA300(A)-GA301(A)
High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
FEATURES
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.
MAXIMUM RATINGS
Repetitive Peak Off State Voltage
Repetitive Peak On-State Current
Peak Gate Current
Average Gate Current
Reverse Gate Current
Reverse Gate Voltage
Storage Temperature Range
Operating Temperature Range
VDRM
ITRM
IGM
IG(AV)
IGR
VGR
GA300
GA300A
60V
Up to 100A
250 mA
25 mA
3 mA
5V
-65 to +150°C
0 to +125°C
GA301
GA301A
100V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)
Test Symbol Min Typical
Max
Units
Conditions
Delay Time
Rise Time (Note 1)
GA300, GA300A
Rise Time (Note 1)
GA301, GA301A
Circuit Commutated Turn Off Time
GA300, GA301
GA300A, GA301A
td
-
20
10
30
-
ns
tr
-
15
25
25
-
ns
tr
-
10
20
20
-
ns
tq
-
0.8 2.0
µs
0.3 0.5
IG = 20 mA, IT = 1 A
IG = 30 mA, IT = 1A
VD = 60 V, IT = 1 A
VD = 60 V, IT = 30 A (Note 1)
VD = 100 V, IT = 1A
VD = 100 V, IT = 30 A (Note 1)
IT = 1 A, IR = 1 A, RGK = 1K
Gate Trigger On Pulse Width
tpg(on)
-
0.02 0.05
µs
IG = 10 mA, IT = 1 A
Off-State Current
Reverse Current (Note 2)
IDRM
-
-
0.01 0.1
20 100
µA
VDRM = Rating, RGK = 1K, T = 25°C
VDRM = Rating, RGK = 1K, T = 125°C
IRRM - 1.0 10 mA
VRRM = 30 V, RGK = 1 K (Note 2)
Gate Trigger Voltage
VGT
0.4
0.10
0.6
0.2
0.75
-
V
VD = 5V, RGS = 100 Ω, T = 25°C
VD = 5 V, RGS = 100 Ω, T = 125°C
Gate Trigger Current
IGT - 10 200 µA
VD = 5 V, RGS = 10 K
On-State Voltage
VT
-
1.1 1.5
V
IT = 2 A
Off-State Voltage – Critical Rate of Rise
dV/dt
15
30
- V/µs
VD = 30 V, RGK = 1 K
Reverse Gate Current
IGR
-
0.01 0.1
mA
VGR = 5 V
Holding Current
IH
0.3 2.0
0.05 0.4
5.0
-
mA
VD = 5V, RGK = 1 K, T = 25°C
VD = 5 V, RGK = 1 K, T = 125°C
Note 1 – IG = 10 mA, Pulse Test: Duty Cycle < 1%.
Note 2 – Pulse test intended to guarantee reverse anode voltage capability for pulse commutation. Device should not be operated in the reverse blocking mode on a continuous basis.
Rev. 20130116





구       성 총 3 페이지수
다운로드[ GA301A.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
GA301

SCRs Commercial Nanosecond Switching Planar

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
GA301

SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

Digitron Semiconductors
Digitron Semiconductors

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵