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부품번호 | ID101 기능 |
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기능 | MONOLITHIC DUAL PICO AMPERE DIODES | ||
제조업체 | Linear Integrated Systems | ||
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전체 2 페이지수
Linear Integrated Systems
ID100 ID101
MONOLITHIC DUAL
PICO AMPERE DIODES
FEATURES
DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL ID100 & ID101
REVERSE LEAKAGE CURRENT
REVERSE BREAKDOWN VOLTAGE
REVERSE CAPACITANCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1
IR = 0.1pA
BVR ≥ 30V
Crss = 0.75pF
@ 25 °C (unless otherwise stated)
Maximum Temperatures
Storage Temperature
-65 to +200 °C
Operating Junction Temperature
-55 to +150 °C
Maximum Power Dissipation
Continuous Power Dissipation
300mW
Maximum Currents
Forward Current
20mA
Reverse Current
100µA
Maximum Voltages
Reverse Voltage
30V
Diode to Diode Voltage
±50V
ID100
TO-78
BOTTOM VIEW
ID101
TO-71
BOTTOM VIEW
NC 3
A1 2
K1 1
5 NC
6 A2
7 K2
NC 3
A1 2
K1 1
5 NC
6 A2
7 K2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 °C (unless otherwise stated)
SYMBOL CHARACTERISTIC
MIN TYP MAX
BVR Reverse Breakdown Voltage
VF Forward Voltage
30
0.8 1.1
IR Reverse Leakage Current
0.1
2.0 10
|IR1-IR2|
Crss
Differential Leakage Current
Total Reverse Capacitance2
3
0.75 1
UNITS
V
pA
pF
CONDITIONS
IR = 1µA
IF = 10mA
VR = 1V
VR = 10V
VR = 10V, f = 1MHz
Linear Integrated Systems • 4042 Clipper Court • Fremont, CA 94538 • Tel: 510 490-9160 • Fax: 510 353-0261
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
ID100 | SILICON CONTROLLED RECTIFIERS | Digitron Semiconductors |
ID100 | MONOLITHIC DUAL PICO AMPERE DIODES | Linear Integrated Systems |
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