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MCR12N 데이터시트 PDF




Digitron Semiconductors에서 제조한 전자 부품 MCR12N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MCR12N 자료 제공

부품번호 MCR12N 기능
기능 SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
제조업체 Digitron Semiconductors
로고 Digitron Semiconductors 로고


MCR12N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MCR12N 데이터시트, 핀배열, 회로
MCR12D, MCR12M,
MCR12N
High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
FEATURES
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak repetitive off-state voltage(1)
Peak repetitive reverse voltage
(TJ = -40 to +125°C)
MCR12D
MCR12M
MCR12N
VDRM
VRRM
400
600
800
V
On-state RMS current (all conduction angles)
IT(RMS)
12
A
Peak non-repetitive surge current
(one half-cycle, sine wave, 60Hz, TJ = 125°C)
Circuit fusing consideration (t = 8.3ms)
ITSM 100
A
I2t 41 A2s
Peak gate power (pulse width ≤ 1.0µs, TC = 80°C)
PGM 5
W
Average gate power (t = 8.3ms, TC = 80°C)
Peak gate current (pulse width ≤ 1.0µs, TC = 80°C)
PG(AV)
IGM
0.5
2
W
A
Operating temperature range
TJ -40 to +125 °C
Storage temperature range
Tstg -40 to +150
°C
Note 1: VDRM and VRRM for all types can be applied on a continuous basis. Ratings apply for zero or negative gate voltage; positive gate voltage shall not be applied concurrent with negative
potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a constant current source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal resistance, junction to case
Thermal resistance, junction to ambient
Maximum lead temperature for soldering purposes
1/8” from case for 10s
Symbol
RӨJC
RӨJA
TL
Maximum
2.0
62.5
260
Unit
°C/W
°C/W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Peak forward blocking current
Peak reverse blocking current
(VAK = Rated VDRM or VRRM, gate open)
TJ = 25°C
TJ = 125°C
ON CHARACTERISTICS
IDRM,
IRRM
Peak on-state voltage*
(ITM = 24A)
Gate trigger current (continuous dc)
(VD = 12V, RL = 100Ω)
VTM
IGT
Min Typ Max Unit
mA
- - 0.01
- - 2.0
- - 2.2 V
2.0 7.0 20
mA
Rev. 20130108





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