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3N256 데이터시트 PDF




Digitron Semiconductors에서 제조한 전자 부품 3N256은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 3N256 자료 제공

부품번호 3N256 기능
기능 DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIER
제조업체 Digitron Semiconductors
로고 Digitron Semiconductors 로고


3N256 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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3N256 데이터시트, 핀배열, 회로
3N253-3N259
High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIER
FEATURES
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol 3N253 3N254 3N255 3N256 3N257
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
50 100 200 400 600
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
VRMS
VDC
35 70 140 280 420
50 100 200 400 600
Maximum average forward output rectified
current at TA = 50°C
IF(AV)
2.0
Peak forward surge current single half-sine
wave superimposed on rated load
TJ= 150°C
Rating for fusing (t < 8.3ms)
IFSM
I2t
60.0
15.0
Typical thermal resistance per leg (1)
RӨJA
RӨJL
30.0
11.0
Operating and storage temperature range
TJ, Tstg
-55 to +165
Note 1: Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on PCB with 0.47 x 0.47” copper pads.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C)
Characteristic
Maximum instantaneous forward voltage
drop per leg at 3.14A
Maximum DC reverse current at rated DC
blocking voltage per leg
TA = 25°C
TA = 125°C
Typical junction capacitance
Symbol
VF
3N253
3N254
3N255
3N256
1.1
3N257
IR 5
500
CJ 25
3N258
800
560
800
3N258
3N259
1000
700
1000
3N259
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
A2s
°C/W
°C
Units
Volts
µA
pF
Rev. 20130423





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