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KBU8G 데이터시트 PDF




GeneSiC에서 제조한 전자 부품 KBU8G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 KBU8G 자료 제공

부품번호 KBU8G 기능
기능 Single Phase Silicon Bridge Rectifier
제조업체 GeneSiC
로고 GeneSiC 로고


KBU8G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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KBU8G 데이터시트, 핀배열, 회로
Single Phase Silicon
Bridge Rectifier
KBU8A thru KBU8G
VRRM = 50 V - 400 V
IO = 8 A
Features
• Plastic material used carries Underwriters
Laboratory Flammability Classification 94V-0
• Ideal for printed circuit boards
• High forward surge current capability
• High temperature soldering guaranteed: 250C/ 10 seconds, 0.375
(9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3 kg) tension
• Types from 50 V up to 400 V VRRM
• Not ESD Sensitive
KBU Package
Mechanical Data
Case: Molded plastic body
Terminals: Plated leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Mounting position: Any
Mounting torque: 5 inch-lbs max
Weight: 0.268 ounces, 7.6 grams
Maximum ratings at Tc = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
KBU8A
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
VRRM
VRMS
VDC
Tj
Tstg
50
35
50
-55 to 150
-55 to 150
KBU8B
100
70
100
-55 to 150
-55 to 150
KBU8D
200
140
200
-55 to 150
-55 to 150
KBU8G
400
280
400
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics at Tc = 25 °C, unless otherwise specified
Single phase, half sine wave, 60 Hz, resistive or inductive load
For capacitive load derate current by 20%
Parameter
Symbol
Conditions
KBU8A
Maximum average forward
rectified current
Peak forward surge current
Maximum instantaneous
forward voltage drop per leg
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage
IO
IFSM
VF
IR
Tc = 100 °C
Ta = 45 °C
tp = 8.3 ms, half sine
IF = 8.0 A
Ta = 25 °C
Ta = 100 °C
8
6
300
1.0
10
500
KBU8B
8
6
300
1.0
10
500
KBU8D
8
6
300
1.0
10
500
KBU8G
8
6
300
1.0
10
500
Unit
A
A
V
μA
www.genesicsemi.com/silicon-products/bridge-rectifiers/
1





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