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MBRF20200CT 데이터시트 PDF




MDD에서 제조한 전자 부품 MBRF20200CT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MBRF20200CT 자료 제공

부품번호 MBRF20200CT 기능
기능 SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
제조업체 MDD
로고 MDD 로고


MBRF20200CT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MBRF20200CT 데이터시트, 핀배열, 회로
MBRF201500CT THRU MBRF20200CT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Reverse Voltage - 150 to 200 Volts Forward Current -20.0 Amperes
ITO-220AB
10.2± 0.2
4.5± 0.2
3.1+-00..12
PIN
1 23
4.0± 0.3
1.4± 0.1
2.6± 0.2
FEATURES
High surge capacity.
For use in low voltage, high frequency inverters,free
wheeling,and polarity protection applications.
Metal silicon junction,majority carrier conduction.
High current capability,low forward voltage drop.
Guard ring for over voltage protection.
MECHANICAL DATA
0.6± 0.1
2.6± 0.15
PIN 1
PIN 3
PIN 2
CASE
0.6± 0.1
Dimensions in inches and (millimeters)
Case: ITO-220AB molded plastic body
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: As marked
Mounting Position: Any
Weight:0.060 ounce, 1.67 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
MDD Catalog Number
SYMBOLS
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
(see fig.1)
VRRM
VRMS
VDC
I(AV)
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
IFSM
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 10.0A
VF
Maximum DC reverse current TA=25 C
at rated DC blocking voltage TA=100 C
IR
Maximum thermal resistance(NOTE 1)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
RθJC
TJ
TSTG
Note: 1.Thermal resistance from junction to case
MBRF20150CT
150
135
150
MBRF20200CT
200
140
200
20.0
150.0
0.95
0.2
50.0
1.5
-55 to +150
-55 to +150
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amps
Amps
Volts
mA
C/W
C
C





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