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부품번호 | BAV23S 기능 |
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기능 | Plastic-Encapsulate Diodes | ||
제조업체 | Eris | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
BAV23A/C/S
Plastic-Encapsulate Diodes
Switching Diodes
SOT-23
Features
‧Fast Switching Speed
‧High Conductance
‧For General Purpose Switching Applications
Ordering Information
Part No.
Package
BAV23A/C/S
SOT-23
Packing
3000 / Tape & Reel
Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
@ t=8.3ms
Power Dissipation
Thermal Resistance from Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Electrical Characteristics (TA=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Conditions
Reverse Voltage
IR=100μA
Reverse Current
VR=250V
Forward Voltage
IF=100mA
IF=200mA
Total capacitance
VR=0, f=1MHZ
Reverse Recovery Time
IF=IR=30mA, Irr=0.1xIR, RL=100Ω
Marking
BAV23A
BAV23C
BAV23S
Marking: KT7 Marking: KT6 Marking: KL31
Solid dot = Green molding compound device,
if none, the normal device.
Symbol
VRRM
VRWM
VR(RMS)
IO
IFSM
PD
RθJA
TJ
TSTG
Limit
250
200
175
225
1.7
350
357
125
-55~+150
Unit
V
V
V
mA
A
mW
oC/W
oC
oC
Symbol
V(BR)
IR
VF
CT
trr
Min.
250
—
—
—
—
—
Typ.
—
—
—
—
—
—
Max.
—
0.1
1
1.25
5
50
Unit
V
μA
V
pF
ns
Revision: B02
DC-00374
1/3
www.eris.com.tw
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAV23 | Dual high-voltage switching diodes | NXP Semiconductors |
BAV23 | Small Signal Diode | MCC |
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