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IRFS830 데이터시트 PDF




LZG에서 제조한 전자 부품 IRFS830은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IRFS830 자료 제공

부품번호 IRFS830 기능
기능 N-CHANNEL MOSFET
제조업체 LZG
로고 LZG 로고


IRFS830 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IRFS830 데이터시트, 핀배열, 회로
IRFS830(CS830F)
N-Channel MOSFET/N 沟 MOS 晶体管
用途:用于高效 DC/DC 转换和功率开关。
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge, low crss, fast switching.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VDSS 500 V
ID(Tc=25℃)
5.0 A
ID(Tc=100℃)
3.0 A
IDM 20 A
VGSS
±30
V
IAR 4.5 A
EAS 292 mJ
EAR
8.75
mJ
PD(Tc=25℃)
38 W
TJ,TSTG
-55 to 150 ℃
电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数符号
测试条件
Symbol
Test Conditions
BVDSS
VGS=0V
ID=250μA
IDSS
VDS=500V
VDS=400V
VGS=0V
TC=125℃
IGSS VGS=±30V VDS=0V
VGS(th)
VDS=VGS
ID=250μA
RDS(on)
VGS=10V
ID=2.5A
gFS
VDS=40V
ID=2.5A
VSD
VGS=0V
IS=5.0A
Ciss
Coss VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz
Crss
td(on)
tr
td(off)
VDD=250V ID=4.5A RG=25Ω
tf
最小值
Min
500
2.0
典型值
Typ
1.15
4.2
680
85
15
20
40
90
45
最大值
Max
10
100
±0.1
4.0
1.4
1.5
900
110
20
50
90
190
100
单位
Unit
V
μA
μA
μA
V
Ω
S
V
pF
ns
http://www.lzg.so





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다운로드[ IRFS830.PDF 데이터시트 ]

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