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부품번호 | 2N7000 기능 |
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기능 | Logic N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | SemiWell | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
SemiWell Semiconductor
Features
■ RDS(on) (Max 5 Ω )@VGS=10V
RDS(on) (Max 5.3Ω )@VGS=4.5V
■ Gate Charge (Typical 0.5nC)
■ Maximum Junction Temperature Range (150°C)
2N7000
Logic N-Channel MOSFET
Symbol
2. Gate {
{ 3. Drain
●
◀▲
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●
{ 1. Source
General Description
This Power MOSFET is produced using planar DMOS technology.
And this Power MOSFET is well suited for Battery switch, Load
switch, Motor controller and other small signal switches.
TO-92
12 3
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDSS
ID
IDM
VGS
PD
TSTG, TJ
TL
Parameter
Drain to Source Voltage
Continuous Drain Current(@TA = 25°C)
Drain Current Pulsed
Gate to Source Voltage
Total Power Dissipation Single Operation (TA=25°C)
Total Power Dissipation Single Operation (TA=70°C)
Operating Junction Temperature & Storage Temperature
Maximum Lead Temperature for soldering purpose,
1/8 from Case for 10 seconds.
Thermal Characteristics
Symbol
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Min.
-
(Note 1)
Value
60
200
500
±20
0.4
3.2
- 55 ~ 150
300
Value
Typ.
-
Max.
312.5
Units
V
mA
mA
V
W
mW
°C
°C
Units
°C/W
January, 2003. Rev. 0.
Copyr ight@SemiWell Semiconductor Co., Ltd., All rights reserved.
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2N7000
Fig 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Junction Temperature
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100
※ Notes :
1. VGS = 0 V
2. ID = 250 µ A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Fig 8. On-Resistance Variation
vs. Junction Temperature
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
※ Notes :
1. VGS = 10 V
2. ID = 500 mA
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
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구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N7000 | 60V, 200mA, N-channel MOSFET | Motorola Inc |
2N7000 | 60V, 200mA, N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | NXP Semiconductors |
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