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3CG1365 데이터시트 PDF




LZG에서 제조한 전자 부품 3CG1365은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 3CG1365 자료 제공

부품번호 3CG1365 기능
기능 SILICON PNP TRANSISTOR
제조업체 LZG
로고 LZG 로고


3CG1365 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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3CG1365 데이터시트, 핀배열, 회로
2SA1365(3CG1365)
硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途: 用于小型马达驱动、继电器及电源驱动。
Purpose: Small type motor drive, relay drive, power supply.
特点: 饱和压降小,直流电流增益高、线性好,集电极电流大,特征频率高。
Features: Low collector to emitter saturation voltage, excellent linearity of DC forward
current Gain, high collector current, high gain band width product.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值 单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO -25 V
VCEO -20 V
VEBO
-4.0
V
IC
-700
mA
ICM
-1.0
A
PC 150 mW
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件
Test condition
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
IC=-10μA
IC=-100μA
IE=-10μA
VCB=-25V
VEB=-2.0V
VCE=-4.0V
IC=-500mA
VCE=-6.0V
IE=0
RBE=∞
IC=0
IE=0
IC=0
IC=-100mA
IB=-25mA
IE=10mA
最小值
Min
-25
-20
-4.0
150
数值
Rating
典型值
Typ
-0.2
180
最大值
Max
-1.0
-1.0
800
-0.5
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
V
MHz
hFE 分档、印章/hFE Classifications、Marking:
hFE 分档
hFE Classifications
E
hFE 范围
hFE Range
150~300
印章
Marking
HAE
F
250~500
HAF
G
400~800
HAG
http://www.lzg.so





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