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YBS3006G 데이터시트 PDF




Taiwan Semiconductor에서 제조한 전자 부품 YBS3006G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 YBS3006G 자료 제공

부품번호 YBS3006G 기능
기능 Glass Passivated Bridge Rectifier
제조업체 Taiwan Semiconductor
로고 Taiwan Semiconductor 로고


YBS3006G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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YBS3006G 데이터시트, 핀배열, 회로
YBS3004G - YBS3007G
Taiwan Semiconductor
3A, 400V - 1000V Glass Passivated Bridge Rectifier
FEATURES
Glass passivated junction
Ideal for automated placement
Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique
High surge current capability
UL Recognized File # E-326854
Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
Halogen-free according to IEC 61249-2-21
KEY PARAMETERS
PARAMETER VALUE UNIT
IF(AV)
VRRM
IFSM
TJ MAX
Package
3
400 - 1000
110
150
YBS
A
V
A
°C
Configuration
Quad
APPLICATIONS
Switching mode power supply (SMPS)
Adapters
TV
Monitor
MECHANICAL DATA
Case: YBS
Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating
Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
Packing code with suffix "G" means green compound
(halogen-free)
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Polarity: As marked
Weight: 0.22g (approximately)
YBS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
YBS
YBS
3004G 3005G
YBS
3006G
Marking code on the device
YBS
3004G
YBS
3005G
YBS
3006G
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage, total rms value
Forward current
Surge peak forward current, 8.3 ms single
half sine-wave superimposed on rated load
Surge peak forward current, 1 ms single
half sine-wave superimposed on rated load
I2t value (of a surge on-state current)(1)
VRRM
VR(RMS)
IF(AV)
25°C
IFSM 125°C
25°C
IFSM 125°C
I2t
400
280
600 800
420 560
3
110
88
220
175
50
Junction temperature
Storage temperature
Note:
1. Pulse test with PW=8.3 ms single half sine-wave
TJ
TSTG
-55 to +150
-55 to +150
YBS
3007G
YBS
3007G
1000
700
UNIT
V
V
A
A
A
A2s
°C
°C
1 Version:B1703




YBS3006G pdf, 반도체, 판매, 대치품
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
YBS3004G - YBS3007G
Taiwan Semiconductor
DIM Unit (mm)
Unit (inch)
Min Max Min Max
A 5.00 5.20 0.197 0.205
B 6.50 6.70 0.256 0.264
C 7.90 8.60 0.311 0.339
D 7.20 7.40 0.283 0.291
E 0.27 0.40 0.011 0.016
F 1.30 1.50 0.051 0.059
G 0.95 1.15 0.037 0.045
H 0.70 1.05 0.028 0.041
I 2.90 3.10 0.114 0.122
J 0.04 0.08 0.002 0.003
SUGGESTED PAD LAYOUT
MARKING DIAGRAM
Symbol
A
B
C
D
Unit (mm)
1.80
2.00
9.15
7.10
Unit (inch)
0.070
0.078
0.360
0.279
P/N = Marking Code
YW = Date Code
F = Factory Code
4 Version:B1703

4페이지












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