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KC817-25W 데이터시트 PDF




Kexin에서 제조한 전자 부품 KC817-25W은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 KC817-25W 자료 제공

부품번호 KC817-25W 기능
기능 NPN Silicon AF Transistors
제조업체 Kexin
로고 Kexin 로고


KC817-25W 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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KC817-25W 데이터시트, 핀배열, 회로
SMD Type
NPN Silicon AF Transistors
KC817W
www.DataSheet4U.com
Transistors
Features
For general AF applications.
High collector current.
High current gain.
Low collector-emitter saturation voltage.
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current (DC)
Peak collector current
Base current
power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
Tj
Tstg
Rating
50
45
5
500
1
100
250
150
-65 to +150
Unit
V
V
V
mA
A
mA
mW
1 Emitter
2 Base
3 Collector
Electrical Characteristics Ta = 25
Parameter
Collector-to-base breakdown voltage
Collector-to-emitter breakdown voltage
Emitter-to-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current gain *
Collector saturation voltage *
Base to emitter voltage *
Collector-base capacitance
Emitter-base capacitance
Transition frequency
* Pulsed: PW 350 ìs, duty cycle
KC817-16W
KC817-25W
KC817-40W
2%
Symbol
Testconditons
VCBO IC = 10 A, IE = 0
VCEO IC = 10 mA, IB = 0
VEBO
ICBO
IE = 10 A, IC = 0
VCB = 25 V, IE = 0
VCB = 25 V, IE = 0 , TA = 150
IEBO VEB = 4 V, IC = 0
hFE IC = 100 mA, VCE = -1 V
VCE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA
VBE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA
CCb VCB = 10 V, f = 1 MHz
Ceb VEB = 0.5 V, f = 1 MHz
fT IC = 50 mA, VCE = 5 V, f = 100 MHz
Marking
NO.
Marking
KC817-16W
6A
KC817-25W
6B
KC817-40W
6C
Min Typ Max Unit
50 V
45 V
5V
100 nA
50 A
100 nA
100 160 250
160 250 400
250 350 630
0.7 V
1.2 V
6 pF
60 pF
170 MHz
www.kexin.com.cn 1





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