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부품번호 | BCX71H 기능 |
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기능 | PNP Silicon AF Transistors | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 11 페이지수
PNP Silicon AF Transistors
• For AF input stages and driver applications
• High current gain
• Low collector-emitter saturation voltage
• Low noise between 30 Hz and 15 kHz
• Complementary types: BCW60, BCX70 (NPN)
• Pb-free (RoHS compliant) package
• Qualified according AEC Q101
BCW61..., BCX71...
32
1
Type
BCW61A
BCW61B
BCW61C
BCW61D
BCX71G
BCX71H
BCX71J
BCX71K
Marking
BAs
BBs
BCs
BDs
BGs
BHs
BJs
BKs
Pin Configuration
1=B 2=E 3=C
1=B 2=E 3=C
1=B 2=E 3=C
1=B 2=E 3=C
1=B 2=E 3=C
1=B 2=E 3=C
1=B 2=E 3=C
1=B 2=E 3=C
Package
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
1 2011-07-29
DC Electrical Characteristics
Parameter
Characteristics
Collector-emitter saturation voltage1)
IC = 10 mA, IB = 0.25 mA
IC = 50 mA, IB = 1.25 mA
Base emitter saturation voltage1)
IC = 10 mA, IB = 0.25 mA
IC = 50 mA, IB = 1.25 mA
Base-emitter voltage1)
IC = 10 µA, VCE = 5 V
IC = 2 mA, VCE = 5 V
IC = 50 mA, VCE = 1 V
1Pulse test: t < 300µs; D < 2%
BCW61..., BCX71...
Symbol
Values
Unit
min. typ. max.
VCEsat
VBEsat
VBE(ON)
-
-
-
-
-
0.55
-
0.12
0.2
0.7
0.83
0.52
0.65
0.78
V
0.25
0.55
0.85
1.05
-
0.75
-
4 2011-07-29
4페이지 BCW61..., BCX71...
Collector cutoff current ICBO = ƒ(TA)
VCB = VCEmax
10 4 BCW 61/BCX 71
nA
Ι CBO
10 3
EHP00352
102 max
10 1
typ
10 0
Transition frequency fT = ƒ(IC)
VCE = parameter in V, f = 2 GHz
10 3 BCW 61/BCX 71
f T MHz
5
EHP00347
10 2
5
10 -1
0
50 100 C 150
TA
Collector-base capacitance Ccb = ƒ(VCB)
Emitter-base capacitance Ceb = ƒ(VEB)
10 1
10 0
5 10 1
5 10 2
mA 103
ΙC
Total power dissipation Ptot = ƒ(TS)
12
pF
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
00
CEB
CCB
4
8
12
16 V
22
VCB(VEB)
360
mW
300
270
240
210
180
150
120
90
60
30
00 15 30 45 60 75 90 105 120 °C 150
TS
7 2011-07-29
7페이지 | |||
구 성 | 총 11 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BCX71 | PNP general purpose transistors | NXP Semiconductors |
BCX71 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors | Diotec Semiconductor |
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