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BAW56T PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BAW56T
기능 SILICON EPITAXIAL TYPE DIODE
제조업체 KEC
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BAW56T 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
Small Package
: ESM.
Low Forward Voltage
: VF=0.92V (Typ.).
Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.).
Small Total Capacitance : CT=2.2pF (Typ.).
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL RATING
Maximum (Peak) Reverse Voltage
VRM
85
Reverse Voltage
VR 80
Continuous Forward Current
IF 150
Surge Current (10ms)
IFSM
2
Power Dissipation
PD 200 *
Junction Temperature
Tj 150
Storage Temperature Range
Tstg -55 150
Note : * Package Mounted On FR-5 Board (25.4 19.05 1.57mm)
UNIT
V
V
mA
A
mW
BAW56T
SILICON EPITAXIAL TYPE DIODE
E
B
2
13
DIM MILLIMETERS
D
A 1.60+_ 0.10
B 0.85+_ 0.10
C 0.70+_ 0.10
D 0.27+0.10/-0.05
E 1.60+_ 0.10
G 1.00+_ 0.10
H 0.50
J 0.13+_ 0.05
J
1. CATHODE 1
2. CATHODE 2
3. ANODE
3
21
ESM
Marking
H1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Forward Voltage
Reverse Current
Total Capacitance
VF(1)
VF(2)
VF(3)
IR
CT
Reverse Recovery Time
trr
TEST CONDITION
IF=1mA
IF=10mA
IF=150mA
VR=80V
VR=0, f=1MHz
IF=10mA
MIN.
-
-
-
-
-
-
TYP.
0.61
0.74
-
-
-
-
MAX.
-
-
1.25
0.5
4.0
4.0
UNIT
V
A
pF
ns
2009. 1. 23
Revision No : 1
1/2






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