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BZT55C8V2 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BZT55C8V2
기능 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
제조업체 TEMIC Semiconductors
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BZT55C8V2 데이터시트, 핀배열, 회로
TELEFUNKEN Semiconductors
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
D Very sharp reverse characteristic
D Low reverse current level
D Very high stability
D Low noise
D Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
BZT55C...
94 9373
Absolute Maximum Ratings
Tj = 25_C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
RthJAx300K/W
Type
Symbol
PV
IZ
Tj
Tstg
Value
500
PV/VZ
175
–65...+175
Unit
mW
mA
°C
°C
Maximum Thermal Resistance
Tj = 25_C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Symbol
RthJA
Value
500
Unit
K/W
Characteristics
Tj = 25_C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
IF=200mA
Type Symbol Min Typ Max Unit
VF 1.5 V
Rev. A1: 12.12.1994
1




BZT55C8V2 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BZT55C...
100
80
Ptot=500mW
Tamb=25°C
60
40
20
0
0
95 9604
4 8 12 16
VZ – Z-Voltage ( V )
20
Figure 7 : Z–Current vs. Z–Voltage
1000
IZ=1mA
100
5mA
10 10mA
TELEFUNKEN Semiconductors
50
40
Ptot=500mW
Tamb=25°C
30
20
10
0
15
95 9607
20 25 30
VZ – Z-Voltage ( V )
35
Figure 8 : Z–Current vs. Z–Voltage
1
0
95 9606
Tj = 25°C
5 10 15 20 25
VZ – Z-Voltage ( V )
Figure 9 : Differential Z–Resistance vs. Z–Voltage
1000
tp/T=0.5
100
tp/T=0.2
10
tp/T=0.1
tp/T=0.02
tp/T=0.05
tp/T=0.01
1
10–1
95 9603
100
Single Pulse
RthJA=300K/W
DT=Tjmax–Tamb
iZM=(–VZ+(VZ2+4rzjDT/Zthp)1/2)/(2rzj)
101
tp – Pulse Length ( ms )
102
Figure 10 : Thermal Response
4 Rev. A1: 12.12.1994

4페이지













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