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BZV55-B75 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BZV55-B75은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BZV55-B75 자료 제공

부품번호 BZV55-B75 기능
기능 Voltage regulator diodes
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BZV55-B75 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BZV55-B75 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
1/3 page (Datasheet)
M3D054
BZV55 series
Voltage regulator diodes
Product specification
Supersedes data of 1996 Apr 26
1999 May 21




BZV55-B75 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Table 1 Per type BZV55-B/C2V4 to B/C24
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
BZV55-B
or C
XXX
WORKING VOLTAGE
VZ (V)
at IZtest = 5 mA
Tol. ±2% (B)
Tol. approx.
±5% (C)
DIFFERENTIAL RESISTANCE
rdif ()
at
IZtest = 1 mA
at
IZtest = 5 mA
TEMP. COEFF.
SZ (mV/K)
at IZtest = 5 mA
(see Figs 5 and 6)
DIODE CAP.
Cd (pF)
at f = 1 MHz;
VR = 0 V
MIN. MAX. MIN. MAX. TYP. MAX. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.
MAX.
2V4
2.35 2.45 2.2
2.6 275 600 70 100 3.5 1.6 0
450
2V7
2.65 2.75 2.5
2.9 300 600 75 100 3.5 2.0 0
450
3V0
2.94 3.06 2.8
3.2 325 600 80
95 3.5 2.1 0
450
3V3
3.23 3.37 3.1
3.5 350 600 85
95 3.5 2.4 0
3V6
3.53 3.67 3.4
3.8 375 600 85
90 3.5 2.4 0
450
450
3V9
3.82 3.98 3.7
4.1 400 600 85
90 3.5 2.5 0
450
4V3
4.21 4.39 4.0
4.6 410 600 80
90 3.5 2.5 0
450
4V7
4.61 4.79 4.4
5.0 425 500 50
80 3.5 1.4 0.2
300
5V1
5.00 5.20 4.8
5.4 400 480 40
60 2.7 0.8 1.2
300
5V6
5.49 5.71 5.2
6.0
80 400 15
40 2.0 1.2 2.5
300
6V2
6.08 6.32 5.8 6.6 40 150 6 10 0.4 2.3 3.7
200
6V8
6.66 6.94 6.4 7.2 30 80 6 15 1.2 3.0 4.5
200
7V5
7.35 7.65 7.0 7.9 30 80 6 15 2.5 4.0 5.3
150
8V2
8.04 8.36 7.7 8.7 40 80 6 15 3.2 4.6 6.2
150
9V1
8.92 9.28 8.5 9.6 40 100 6 15 3.8 5.5 7.0
150
10
9.80 10.20 9.4 10.6
50 150
8 20 4.5 6.4 8.0
90
11
10.80 11.20 10.4
11.6
50 150 10
20 5.4 7.4 9.0
85
12
11.80 12.20 11.4 12.7
50 150 10
25 6.0 8.4 10.0
85
13
12.70 13.30 12.4 14.1
50 170 10
30 7.0 9.4 11.0
80
15
14.70 15.30 13.8 15.6
50 200 10
30 9.2 11.4 13.0
75
16
15.70 16.30 15.3 17.1
50 200 10
40 10.4 12.4 14.0
75
18
17.60 18.40 16.8 19.1
50 225 10
45 12.4 14.4 16.0
70
20
19.60 20.40 18.8 21.2
60 225 15
55 14.4 16.4 18.0
60
22
21.60 22.40 20.8 23.3
60 250 20
55 16.4 18.4 20.0
60
24
23.50 24.50 22.8 25.6
60 250 25
70 18.4 20.4 22.0
55
NON-REPETITIVE
PEAK REVERSE
CURRENT
IZSM (A)
at tp = 100 µs;
Tamb = 25 °C
MAX.
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
3.0
3.0
2.5
2.5
2.5
2.0
1.5
1.5
1.5
1.25
1.25

4페이지










BZV55-B75 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Voltage regulator diodes
Product specification
BZV55 series
103
handbook, halfpage
PZSM
(W)
102
MBG801
(1)
10
(2)
1
101
1 duration (ms) 10
(1) Tj = 25 °C (prior to surge).
(2) Tj = 150 °C (prior to surge).
Fig.3 Maximum permissible non-repetitive
peak reverse power dissipation
versus duration.
300
handbook, halfpage
IF
(mA)
200
MBG781
100
0
0.6 0.8 VF (V) 1.0
Tj = 25 °C.
Fig.4 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
0
handbook, halfpage
SZ
(mV/K)
1
MBG783
4V3
3V9
3V6
2 3V3
3V0
2V4
2V7
3
0 20 40 IZ (mA) 60
BZV55-B/C2V4 to B/C4V3.
Tj = 25 to 150 °C.
Fig.5 Temperature coefficient as a function of
working current; typical values.
1999 May 21
10
handbook, halfpage
SZ
(mV/K)
5
0
MBG782
12
11
10
9V1
8V2
7V5
6V8
6V2
5V6
5V1
4V7
5
0
4
8
12 16
20
IZ (mA)
BZV55-B/C4V7 to B/C12.
Tj = 25 to 150 °C.
Fig.6 Temperature coefficient as a function of
working current; typical values.
7

7페이지


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