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BZV55C51 데이터시트 PDF




Compensated Deuices Incorporated에서 제조한 전자 부품 BZV55C51은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BZV55C51 자료 제공

부품번호 BZV55C51 기능
기능 Zener Diode ( Rectifier )
제조업체 Compensated Deuices Incorporated
로고 Compensated Deuices Incorporated 로고


BZV55C51 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BZV55C51 데이터시트, 핀배열, 회로
• ZENER DIODES
•LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
• METALLURGICALLY BONDED
BZV55 C2V4
thru
BZV55 C75
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Power Derating: 3.33 mW / °C above +50°C
Forward Voltage: @ 200mA: 1.1 Volts maximum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.
TYPE
BZV55 C2V4
BZV55 C2V7
BZV55 C3V0
BZV55 C3V3
BZV55 C3V6
BZV55 C3V9
BZV55 C4V3
BZV55 C4V7
BZV55 C5V1
BZV55 C5V6
BZV55 C6V2
BZV55 C6V8
BZV55 C7V5
BZV55 C8V2
BZV55 C9V1
BZV55 C10
BZV55 C11
BZV55 C12
BZV55 C13
BZV55 C15
BZV55 C16
BZV55 C18
BZV55 C20
BZV55 C22
BZV55 C24
BZV55 C27
BZV55 C30
BZV55 C33
BZV55 C36
BZV55 C39
BZV55 C43
BZV55 C47
BZV55 C51
BZV55 C56
BZV55 C62
BZV55 C68
BZV55 C75
ZENER VOLTAGE
(NOTE 1)
VZ @ I ZT
VOLTS
MIN MAX
mA
2.2 2.6
2.5 2.9
2.8 3.2
3.1 3.5
3.4 3.8
5
5
5
5
5
3.7 4.1
4.0 4.6
4.4 5.0
4.8 5.4
5.2 6.0
5
5
5
5
5
5.8 6.6
6.4 7.2
7.0 7.9
7.7 8.7
8.5 9.6
5
5
5
5
5
9.4 10.6
10.4 11.6
11.4 12.7
12.4 14.1
13.8 15.6
5
5
5
5
5
15.3 17.1
16.8 19.1
18.8 21.2
20.8 23.3
22.8 25.6
5
5
5
5
5
25.1 28.9
28.0 32.0
31.0 35.0
34.0 38.0
37.0 41.0
2
2
2
2
2
40.0 46.0
44.0 50.0
48.0 54.0
52.0 60.0
58.0 66.0
2
2
2
2
2
64.0 72.0
70.0 79.0
2
2
MAXIMUM
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
rdiff @ I Z
OHMS
mA
100 5
100 5
95 5
95 5
90 5
90 5
90 5
80 5
60 5
40 5
10 5
15 5
15 5
15 5
15 5
20 5
20 5
25 5
30 5
30 5
40 5
45 5
55 5
55 5
70 5
80 2
80 2
80 2
90 2
130 2
150 2
170 2
180 2
200 2
215 2
240 2
255 2
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR @ VR
µ A VOLTS
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
.700
.500
.200
.100
.100
.100
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.2
NOTE 1 Nominal Zener voltage is measured with the device junction in thermal
equilibrium at an ambient temperature of 25°C + 3°C.
MILLIMETERS INCHES
DIM MIN MAX MIN MAX
D 1.60 1.70 0.063 0.067
F 0.41 0.55 0.016 0.022
G 3.30 3.70 .130 .146
G1 2.54 REF. .100 REF.
S 0.03 MIN. .001 MIN.
DESIGN DATA
CASE: DO-213AA, Hermetically sealed
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)
LEAD FINISH: Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (ROJEC):
100 ˚C/W maximum at L = 0 inch
THERMAL IMPEDANCE: (ZOJX): 35
˚C/W maximum
POLARITY: Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately
+6PPM/°C. The COE of the Mounting
Surface System Should Be Selected To
Provide A Suitable Match With This
Device.
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com





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Central Semiconductor Corp
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