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BZW04-26B 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 BZW04-26B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BZW04-26B 자료 제공

부품번호 BZW04-26B 기능
기능 TRANSILTM
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


BZW04-26B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BZW04-26B 데이터시트, 핀배열, 회로
BZW04-5V8/376
® BZW04-5V8B/376B
FEATURES
PEAK PULSE POWER : 400 W (10/1000µs)
STAND-OFF VOLTAGERANGE :
From 5.8V to 376 V
UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES
LOW CLAMPING FACTOR
FAST RESPONSE TIME
UL RECOGNIZED
TRANSILTM
DESCRIPTION
Transil diodes provide high overvoltage protection
by clamping action. Their instantaneous response
to transient overvoltages makes them particularly
suited to protect voltage sensitive devices such
as MOS Technology and low voltage supplied
IC’s.
F126
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25°C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
PPP Peak pulse power dissipation (see note 1) Tj initial = Tamb
400
W
P Power dissipation on infinite heatsink
Tamb = 75°C
1.7 W
IFSM Non repetitive surge peak forward current tp = 10ms
for unidirectional types
Tj initial = Tamb
30
A
Tstg Storage temperature range
Tj Maximum junction temperature
- 65 to + 175
175
°C
°C
TL Maximum lead temperature for soldering during 10s a 5mm
from case.
230 °C
Note 1 : For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Rth (j-l)
Rth (j-a)
Parameter
Junction to leads
Junction to ambient on printed circuit.
Llead = 10 mm
Value
60
100
Unit
°C/W
°C/W
January 1998 Ed : 2
1/6




BZW04-26B pdf, 반도체, 판매, 대치품
BZW04-xx
Fig. 2 : Peak pulse power versus exponential pulse duration.
PPP (W)
1E5
1E4
Tj initial = 25°C
1E3
1E2
1E1
0.001
0.01
0.1
Fig. 3 : Clamping voltage versus peak pulse current.
Exponentialwaveform tp = 20 µs________
tp = 1 ms-------------
tp = 10 ms...............
VCL (V)
1000
BWZ04 - 376
BWZ04 - 213
100
BWZ04 - 33
tp (ms ) EXPO.
1 10 100
% Ipp
Tj initial = 25°C
100
50
0
tr t
t
t r < 10 s
BWZ04- 8V5
10 BWZ04 - 5V8
Ipp (A)
1
0.1 1 10 100 1000
Note : The curves of the figure 3 are specified for a junction temperature of 25 °C before surge.
The given results may be extrapolated for other junction temperatures by using the following formula :
VBR = αT * (Tamb -25) * VBR (25°C).
For intermediate voltages, extrapolate the given results.
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®

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