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BZW04-31 데이터시트 PDF




EIC discrete Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BZW04-31은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BZW04-31 자료 제공

부품번호 BZW04-31 기능
기능 TVS Diode (Transient Voltage Suppressor)
제조업체 EIC discrete Semiconductors
로고 EIC discrete Semiconductors 로고


BZW04-31 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BZW04-31 데이터시트, 핀배열, 회로
BZW04 SERIES
VBR : 6.8 - 440 Volts
PPK : 400 Watts
TRANSIENT VOLTAGE
SUPPRESSOR
DO - 41
FEATURES :
* 400W surge capability at 1ms
* Excellent clamping capability
* Low zener impedance
* Fast response time : typically less
then 1.0 ps from 0 volt to VBR(min)
* Typical IR less then 1µA above 10V
MECHANICAL DATA
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end except Bipolar.
* Mounting position : Any
* Weight : 0.339 gram
0.107 (2.74)
0.080 (2.03)
1.00 (25.4)
MIN.
0.205 (5.20)
0.160 (4.10)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For bi-directional use B Suffix.
Electrical characteristics apply in both directions
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.
Rating
Peak Power Dissipation at Ta = 25 °C, Tp=1ms (Note1)
Steady State Power Dissipation at TL = 75 °C
Lead Lengths 0.375", (9.5mm) (Note 2)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half
Sine-Wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC Method) (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
PPK
PD
IFSM
TJ, TSTG
Note :
(1 ) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 5 and derated above Ta = 25 °C per Fig. 1
(2) Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in2 (40mm2).
(3) 8.3 ms single half sine-wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
Value
Minimum 400
1.0
40
- 65 to + 175
Unit
Watts
Watt
Amps.
°C
UPDATE : MAY 18, 1998




BZW04-31 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( BZW04 SERIES )
FIG.1 - PULSE DERATING CURVE
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
Ta, AMBIENT TEMPERATURE, ( °C)
FIG.3 - STEADY STATE POWER DERATING
1.00
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE
SURGE CURRENT
60
50
40
30
20
10
8.3 ms SINGLE HALF SINE WAVE
JEDEC METHOD
0
12
4 6 10 20
40
60 100
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG.4 - PULSE RATING CURVE
100
0.75
0.50
0.25
Single Phase Half Wave
60 Hz Resistive or Inductive load
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)
200
FIG.5 - PULSE WAVEFORM
Tr = 10µs
TJ=25 °C
Pulse Width (tp) is defined
100
Peak Value
as that point where the peak
IRMS current decays to 50%
of IRSM
Half Value - IRMS
50 2
10X1000 Waveform
as defined by R.E.A.
tp
0
0 1.0 2.0 3.0
T, TIME(ms)
4.0
10
1.0
0.1
0.1µs
1.0µs
10µs
100µs
1.0ms
tp, PULSE WIDTH
10ms

4페이지












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다운로드[ BZW04-31.PDF 데이터시트 ]

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