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BYT230PIV-400 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 BYT230PIV-400은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BYT230PIV-400 자료 제공

부품번호 BYT230PIV-400 기능
기능 FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


BYT230PIV-400 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BYT230PIV-400 데이터시트, 핀배열, 회로
BYT230PIV-400
® BYT231PIV-400
FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS
IF(AV)
VRRM
VF (max)
trr (max)
2 x 30 A
400 V
1.4 V
50 ns
FEATURES AND BENEFITS
n VERY LOW REVERSE RECOVERY TIME
n VERY LOW SWITCHING LOSSES
n LOW NOISE TURN-OFF SWITCHING
n INSULATED PACKAGE: ISOTOP
Insulation voltage: 2500 VRMS
Capacitance = 45 pF
Inductance < 5 nH
DESCRIPTION
These rectifier devices are suited for free-wheeling
function in converters and motor control circuits.
Packaged in ISOTOP, they are intended for use in
Switch Mode Power Supplies.
K2 A2
A2 K1
K1 A1
BYT231PIV-400
K2 A1
BYT230PIV-400
ISOTOPTM
(Plastic)
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)
Symbol
Parameter
VRRM Repetitive peak reverse voltage
IFRM Repetitive peak forward current
tp=5 µs F=1kHz
IF(RMS) RMS forward current
IF(AV) Average forward current
Tc = 75°C
δ = 0.5
IFSM Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms Sinusoidal
Tstg Storage temperature range
Tj Maximum operating junction temperature
Value
400
900
50
30
Unit
V
A
A
A
350
- 40 to + 150
150
A
°C
°C
TM: ISOTOP is a registered trademark of STMicroelectronics.
May 2000 - Ed: 5D
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BYT230PIV-400 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BYT230PIV-400 / BYT231PIV-400
Fig. 7: Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
Fig. 8: Recovery charges versus dIF/dt (per
diode).
C(pF)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
1
VR(V)
10
F=1MHz
Tj=25°C
Qrr(nC)
1000
IF=IF(av)
90% confidence
Tj=100°C
100
100 200
10
10
20
dIF/dt(A/µs)
50 100
200
500
Fig. 9: Recovery current versus dIF/dt (per diode).
Fig. 10: Transient peak forward voltage versus
dIF/dt (per diode).
IRM(A)
50
IF=IF(av)
90% confidence
Tj=100°C
10
1
10 20
dIF/dt(A/µs)
50 100
200
500
VFP(V)
30
IF=IF(av)
90% confidence
25 Tj=100°C
20
15
10
5
0
0 100
dIF/dt(A/µs)
200 300
400
500
Fig. 11: Forward recovery time versus dIF/dt (per
diode).
Fig. 12: Dynamic parameters versus junction
temperature.
tfr(µs)
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
0
100
dIF/dt(A/µs)
200 300
IF=IF(av)
90% confidence
Tj=100°C
400 500
Qrr;IRM[Tj] / Qrr;IRM[Tj=100°C]
1.50
1.25
1.00
0.75
IRM
0.50
0.25
0
Qrr
Tj(°C)
25 50 75 100 125 150
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