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BYV72EF-150 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BYV72EF-150은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BYV72EF-150 자료 제공

부품번호 BYV72EF-150 기능
기능 Rectifier diodes ultrafast/ rugged
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BYV72EF-150 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BYV72EF-150 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
Rectifier diodes
ultrafast, rugged
Product specification
BYV72EF series
FEATURES
• Low forward volt drop
• Fast switching
• Soft recovery characteristic
• Reverse surge capability
• High thermal cycling performance
• Isolated mounting tab
SYMBOL
a1
1
k2
a2
3
GENERAL DESCRIPTION
Dual, ultra-fast, epitaxial rectifier
diodes intended for use as output
rectifiers in high frequency switched
mode power supplies.
The BYV72EF series is supplied in
the conventional leaded SOT199
package.
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 anode 1 (a)
2 cathode (k)
3 anode 2 (a)
tab isolated
QUICK REFERENCE DATA
VR = 150 V/ 200 V
VF 0.9 V
IO(AV) = 20 A
IRRM = 0.2 A
trr 28 ns
SOT199
case
1 23
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
VRRM
VRWM
VR
IO(AV)
IFRM
IFSM
IRRM
IRSM
Tstg
Tj
Peak repetitive reverse voltage
Crest working reverse voltage
Continuous reverse voltage
Ths 125˚C
BYV72EF
Average rectified output current square wave
(both diodes conducting)1
δ = 0.5; Ths 78 ˚C
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;
per diode
Non-repetitive peak forward
Ths 78 ˚C
t = 10 ms
current per diode
t = 8.3 ms
sinusoidal; with reapplied
VRWM(max)
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001
per diode
Non-repetitive peak reverse
current per diode
tp = 100 µs
Storage temperature
Operating junction temperature
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
MAX.
-150
150
150
150
-200
200
200
200
20
30
150
160
0.2
0.2
150
150
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
A
˚C
˚C
1 Neglecting switching and reverse current losses.
July 1998
1
Rev 1.100




BYV72EF-150 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Rectifier diodes
ultrafast, rugged
trr / ns
1000
100
10
IF=20A
IF=1A
1
1 10 100
dIF/dt (A/us)
Fig.7. Maximum trr at Tj = 25 ˚C; per diode
Irrm / A
10
1
0.1
IF=20A
IF=1A
0.01
1
10
-dIF/dt (A/us)
100
Fig.8. Maximum Irrm at Tj = 25 ˚C; per diode
50 IF / A
Tj = 150 C
40
Tj = 25 C
30
20
typ
10
0
0
max
0.5 VF / V 1.0
1.5
Fig.9. Typical and maximum forward characteristic
IF = f(VF); parameter Tj
Product specification
BYV72EF series
100 Qs / nC
10
IF=20A
10A
5A
2A
1A
1.0
1.0
10
-dIF/dt (A/us)
100
Fig.10. Maximum Qs at Tj = 25 ˚C; per diode
10 Transient thermal impedance, Zth j-hs (K/W)
1
0.1
0.01
PD tp
D
=
tp
T
0.001
1us
10us
Tt
100us 1ms 10ms 100ms 1s 10s
pulse width, tp (s)
BYV42F/EX
Fig.11. Transient thermal impedance; per diode;
Zth j-hs = f(tp).
July 1998
4 Rev 1.100

4페이지












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