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BYV74 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BYV74은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BYV74 자료 제공

부품번호 BYV74 기능
기능 Dual rectifier diodes ultrafast
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BYV74 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BYV74 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
Dual rectifier diodes
ultrafast
Product specification
BYV74 series
GENERAL DESCRIPTION
Glass passivated, high efficiency
rectifier diodes in a plastic envelope
featuring low forward voltage drop,
ultra fast reverse recovery times and
soft recovery characteristic. They are
intended for use in switched mode
power supplies and high frequency
circuits in general, where both low
conduction losses and low switching
losses are essential.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
MAX.
VRRM
VF
IO(AV)
trr
BYV74-
Repetitive peak reverse
voltage
Forward voltage
Average output current
(both diodes conducting)
Reverse recovery time
300
300
1.12
30
60
MAX.
400
400
1.12
30
60
MAX.
500
500
1.12
30
60
UNIT
V
V
A
ns
PINNING - SOT93
PIN DESCRIPTION
1 Anode 1 (a)
2 Cathode (k)
3 Anode 2 (a)
tab Cathode (k)
PIN CONFIGURATION
tab
123
SYMBOL
a1 a2
13
k2
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
VRRM
VRWM
VR
IO(AV)
IO(RMS)
IFRM
IFSM
I2t
Tstg
Tj
Repetitive peak reverse voltage
Crest working reverse voltage
Continuous reverse voltage
Tmb 136˚C
Average output current (both
diodes conducting)1
RMS output current (both
diodes conducting)
Repetitive peak forward current
per diode
Non-repetitive peak forward
current per diode.
I2t for fusing
Storage temperature
Operating junction temperature
square wave; δ = 0.5;
Tmb 94 ˚C
sinusoidal; a = 1.57;
Tmb 98 ˚C
t = 25 µs; δ = 0.5;
Tmb 94 ˚C
t = 10 ms
t = 8.3 ms
sinusoidal; with reapplied
VRRM(max)
t = 10 ms
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-300
300
300
300
MAX.
-400
400
400
400
30
27
43
30
150
160
112
150
150
-500
500
500
500
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A2s
˚C
˚C
1 Neglecting switching and reverse current losses.
For output currents in excess of 20 A, connection should be made to the exposed metal mounting base.
August 1996
1
Rev 1.200




BYV74 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Dual rectifier diodes
ultrafast
50 IF / A
Tj = 25 C
Tj = 150 C
40
BYV74
30
typ max
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2
VF / V
Fig.7. Typical and maximum forward characteristic
IF = f(VF); parameter Tj
Qs / nC
1000
100
10
IF = 20 A
2A
1
1.0
10
-dIF/dt (A/us)
100
Fig.8. Maximum Qs at Tj = 25˚C; per diode
Product specification
BYV74 series
Zth (K/W)
10
1
0.1 D tp
t
0.01
10 us
1 ms
tp / s
0.1
10 s
Fig.9. Transient thermal impedance per diode
Zth j-mb= f(tp)
August 1996
4
Rev 1.200

4페이지












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