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부품번호 | BYV79-100 기능 |
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기능 | Rectifier diodes ultrafast | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
Philips Semiconductors
Rectifier diodes
ultrafast
Product specification
BYV79 series
GENERAL DESCRIPTION
Glass passivated high efficiency
rectifier diodes in a plastic envelope,
featuring low forward voltage drop,
ultra-fast recovery times and soft
recovery characteristic. They are
intended for use in switched mode
power supplies and high frequency
circuits in general where low
conduction and switching losses are
essential.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
VRRM
VF
IF(AV)
trr
BYV79-
Repetitive peak reverse
voltage
Forward voltage
Forward current
Reverse recovery time
MAX.
100
100
0.9
14
30
MAX.
150
150
0.9
14
30
MAX.
200
200
0.9
14
30
UNIT
V
V
A
ns
PINNING - TO220AC
PIN DESCRIPTION
1 cathode (k)
2 anode (a)
tab cathode (k)
PIN CONFIGURATION
tab
SYMBOL
a
k
12
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
VRRM
VRWM
VR
IF(AV)
IF(RMS)
IFRM
IFSM
I2t
Tstg
Tj
Repetitive peak reverse voltage
Crest working reverse voltage
Continuous reverse voltage1
Average forward current2
RMS forward current
Repetitive peak forward current
Non-repetitive peak forward
current
I2t for fusing
Storage temperature
Operating junction temperature
square wave; δ = 0.5;
Tmb ≤ 120 ˚C
sinusoidal; a = 1.57;
Tmb ≤ 122 ˚C
t = 25 µs; δ = 0.5;
Tmb ≤ 120 ˚C
t = 10 ms
t = 8.3 ms
sinusoidal; with reapplied
VRWM(max)
t = 10 ms
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-100
100
100
100
MAX.
-150
150
150
150
14
12.7
20
28
150
160
112
150
150
-200
200
200
200
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A2s
˚C
˚C
1 Tmb ≤ 145˚C for thermal stability.
2 Neglecting switching and reverse current losses.
October 1994
1
Rev 1.100
Philips Semiconductors
Rectifier diodes
ultrafast
Irrm / A
10
1
0.1
IF=10A
IF=2A
0.01
1
10
-dIF/dt (A/us)
Fig.7. Maximum Irrm at Tj = 25 ˚C.
100
Product specification
BYV79 series
1000 Qs / nC
100
10
IF=10A
5A
2A
1.0
1.0
10
-dIF/dt (A/us)
Fig.10. Maximum Qs at Tj = 25 ˚C.
100
IF / A
10
1
IF=10A
IF=2A
0.1
0.01
1
Tj = 100 C
10
-dIF/dt (A/us)
Fig.8. Maximum Irrm at Tj = 100 ˚C.
100
60 IF / A
Tj = 150 C
50
Tj = 25 C
40
30
20
typ
10
max
0
0
0.5 1.0
1.5
VF / V
2
Fig.9. Typical and maximum forward characteristic
IF = f(VF); parameter Tj
Zth (K/W)
10
1
0.1 PD tp
t
0.01
10 us
1 ms
tp / s
0.1
10
Fig.11. Transient thermal impedance; Zth j-mb = f(tp).
October 1994
4
Rev 1.100
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BYV79-100 | Rectifier diodes ultrafast | NXP Semiconductors |
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