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BYV79-100 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BYV79-100은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BYV79-100 자료 제공

부품번호 BYV79-100 기능
기능 Rectifier diodes ultrafast
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BYV79-100 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BYV79-100 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
Rectifier diodes
ultrafast
Product specification
BYV79 series
GENERAL DESCRIPTION
Glass passivated high efficiency
rectifier diodes in a plastic envelope,
featuring low forward voltage drop,
ultra-fast recovery times and soft
recovery characteristic. They are
intended for use in switched mode
power supplies and high frequency
circuits in general where low
conduction and switching losses are
essential.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
VRRM
VF
IF(AV)
trr
BYV79-
Repetitive peak reverse
voltage
Forward voltage
Forward current
Reverse recovery time
MAX.
100
100
0.9
14
30
MAX.
150
150
0.9
14
30
MAX.
200
200
0.9
14
30
UNIT
V
V
A
ns
PINNING - TO220AC
PIN DESCRIPTION
1 cathode (k)
2 anode (a)
tab cathode (k)
PIN CONFIGURATION
tab
SYMBOL
a
k
12
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
VRRM
VRWM
VR
IF(AV)
IF(RMS)
IFRM
IFSM
I2t
Tstg
Tj
Repetitive peak reverse voltage
Crest working reverse voltage
Continuous reverse voltage1
Average forward current2
RMS forward current
Repetitive peak forward current
Non-repetitive peak forward
current
I2t for fusing
Storage temperature
Operating junction temperature
square wave; δ = 0.5;
Tmb 120 ˚C
sinusoidal; a = 1.57;
Tmb 122 ˚C
t = 25 µs; δ = 0.5;
Tmb 120 ˚C
t = 10 ms
t = 8.3 ms
sinusoidal; with reapplied
VRWM(max)
t = 10 ms
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-100
100
100
100
MAX.
-150
150
150
150
14
12.7
20
28
150
160
112
150
150
-200
200
200
200
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A2s
˚C
˚C
1 Tmb 145˚C for thermal stability.
2 Neglecting switching and reverse current losses.
October 1994
1
Rev 1.100




BYV79-100 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Rectifier diodes
ultrafast
Irrm / A
10
1
0.1
IF=10A
IF=2A
0.01
1
10
-dIF/dt (A/us)
Fig.7. Maximum Irrm at Tj = 25 ˚C.
100
Product specification
BYV79 series
1000 Qs / nC
100
10
IF=10A
5A
2A
1.0
1.0
10
-dIF/dt (A/us)
Fig.10. Maximum Qs at Tj = 25 ˚C.
100
IF / A
10
1
IF=10A
IF=2A
0.1
0.01
1
Tj = 100 C
10
-dIF/dt (A/us)
Fig.8. Maximum Irrm at Tj = 100 ˚C.
100
60 IF / A
Tj = 150 C
50
Tj = 25 C
40
30
20
typ
10
max
0
0
0.5 1.0
1.5
VF / V
2
Fig.9. Typical and maximum forward characteristic
IF = f(VF); parameter Tj
Zth (K/W)
10
1
0.1 PD tp
t
0.01
10 us
1 ms
tp / s
0.1
10
Fig.11. Transient thermal impedance; Zth j-mb = f(tp).
October 1994
4
Rev 1.100

4페이지












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