Datasheet.kr   

BYV79E-200 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BYV79E-200은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BYV79E-200 자료 제공

부품번호 BYV79E-200 기능
기능 Rectifier diodes ultrafast/ rugged
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BYV79E-200 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BYV79E-200 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
Rectifier diodes
ultrafast, rugged
Product specification
BYV79E series
FEATURES
• Low forward volt drop
• Fast switching
• Soft recovery characteristic
• Reverse surge capability
• High thermal cycling performance
• Low thermal resistance
SYMBOL
k
1
a
2
GENERAL DESCRIPTION
Ultra-fast, epitaxial rectifier diodes
intended for use as output rectifiers
in high frequency switched mode
power supplies.
The BYV79E series is supplied in
the conventional leaded SOD59
(TO220AC) package.
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 cathode
2 anode
tab cathode
QUICK REFERENCE DATA
VR = 150 V/ 200 V
VF 0.9 V
IF(AV) = 14 A
IRRM 0.2 A
trr 30 ns
SOD59 (TO220AC)
tab
12
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
VRRM
VRWM
VR
Peak repetitive reverse voltage
Crest working reverse voltage
Continuous reverse voltage
Tmb 145˚C
BYV79E
IF(AV)
Average forward current1
square wave
δ = 0.5; Tmb 120 ˚C
IFRM Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;
Tmb 120 ˚C
IFSM Non-repetitive peak forward t = 10 ms
current
t = 8.3 ms
sinusoidal; with reapplied
VRWM(max)
IRRM Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001
IRSM Non-repetitive peak reverse tp = 100 µs
current
Tstg Storage temperature
Tj Operating junction temperature
1. Neglecting switching and reverse current losses.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL PARAMETER
VC Electrostatic discharge
capacitor voltage
CONDITIONS
Human body model;
C = 250 pF; R = 1.5 k
MAX.
-150
150
150
150
-200
200
200
200
14
28
150
160
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
0.2 A
0.2 A
150 ˚C
150 ˚C
MIN.
-
MAX.
8
UNIT
kV
July 1998
1 Rev 1.200




BYV79E-200 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Rectifier diodes
ultrafast, rugged
Product specification
BYV79E series
trr / ns
1000
100
10
IF=10A
IF=1A
1
1 10
dIF/dt (A/us)
Fig.7. Maximum trr at Tj = 25 ˚C.
100
Irrm / A
10
1
0.1
IF=10A
IF=2A
0.01
1
10
-dIF/dt (A/us)
Fig.8. Maximum Irrm at Tj = 25 ˚C.
100
60 IF / A
Tj = 150 C
50
Tj = 25 C
40
30
20
typ
10
max
0
0
0.5 1.0
1.5
VF / V
2
Fig.9. Typical and maximum forward characteristic
IF = f(VF); parameter Tj
1000 Qs / nC
100
10
IF=10A
5A
2A
1.0
1.0
10
-dIF/dt (A/us)
Fig.10. Maximum Qs at Tj = 25 ˚C.
100
10 Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
1
0.1
0.01
PD tp
D
=
tp
T
0.001
1us
10us
Tt
100us 1ms 10ms 100ms 1s
pulse width, tp (s)
BYV79E
10s
Fig.11. Transient thermal impedance; Zth j-mb = f(tp).
July 1998
4 Rev 1.200

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ BYV79E-200.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BYV79E-200

Rectifier diodes ultrafast/ rugged

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵