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BYW98-200 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 BYW98-200은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BYW98-200 자료 제공

부품번호 BYW98-200 기능
기능 HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


BYW98-200 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BYW98-200 데이터시트, 핀배열, 회로
® BYW98-200
HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS
IF(AV)
VRRM
Tj (max)
VF (max)
trr (max)
3A
200 V
150 °C
0.85 V
35 ns
FEATURES AND BENEFITS
VERY LOW CONDUCTION LOSSES
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES
LOW FORWARD AND REVERSE RECOVERY
TIMES
DESCRIPTION
Low voltage drop and rectifier suited for switching
mode base drive and transistor circuits.
DO-201AD
(Plastic)
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)
Symbol
Parameter
VRRM Repetitive peak reverse voltage
IFRM
IF (AV)
IFSM
Tstg
Repetitive peak forward current *
Average forward current*
Surge non repetitive forward current
Storage temperature range
tp=5 µs
F=1KHz
Ta = 75°C
δ = 0.5
tp = 10ms
Sinusoidal
Tj Maximum operating junction temperature
TL Maximum lead temperature for soldering during 10s at
4mm from case
* On infinite heatsink with 10mm lead length.
Value
200
110
3
70
- 65 to + 150
150
230
Unit
V
A
A
A
°C
°C
°C
October 1999 - Ed: 4C
1/5




BYW98-200 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BYW98-200
Fig. 7: Reverse recovery time versus dIF/dt.
trr(ns)
100
80
60
40
20
0
1
Tj=100°C
IF=3A
90% confidence
Tj=100°C
Tj=25°C
dIF/dt(A/µs)
10
100
Fig. 8: Peak reverse recovery current versus
dIF/dt.
IRM(A)
2.5
2.0
IF=3A
90% confidence
Tj=100°C
1.5
Tj=100°C
1.0
0.5
0.0
1
Tj=25°C
dIF/dt(A/µs)
10 100
Fig. 9: Dynamic parameters versus junction
temperature.
250
%
IF=3A
dIF/dt=50A/µs
VR=30V
200
150
Qrr
IRM
trr
Tj(°C)
100
25 50 75 100 125 150
4/5

4페이지












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