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BYW99PI-200 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 BYW99PI-200은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BYW99PI-200 자료 제공

부품번호 BYW99PI-200 기능
기능 HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


BYW99PI-200 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BYW99PI-200 데이터시트, 핀배열, 회로
® BYW99P/PI/W
HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
FEATURES
SUITED FOR SMPS
VERY LOW FORWARD LOSSES
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES
HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY
HIGH AVALANCHE ENERGY CAPABILITY
INSULATED VERSION TOP3I :
Insulating voltage = 2500 V DC
Capacitance = 12 pF
A1
A2
K
isolated
TOP3I
(Plastic)
BYW99PI-200
DESCRIPTION
Dual center tap rectifier suited for switchmode
power supply and high frequency DC to DC
converters.
Packaged in SOT93, TOP3I or TO247 this device
is intended for use in low voltage, high frequency
inverters, free wheeling and polarity protection
applications.
SOT93
(Plastic)
BYW99P-200
A2
K
A1
TO247
(Plastic)
BYW99W-200
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
IF(RMS)
IF(AV)
IFSM
Parameter
RMS forward current
Average forward current SOT93 / TO247
δ = 0.5
TOP3I
Surge non repetitive forward current
Tstg Storage and junction temperature range
Tj
Per diode
Tc=120°C Per diode
Tc=115°C Per diode
tp=10ms Per diode
sinusoidal
Value
35
15
15
200
Unit
A
A
A
- 40 to + 150 °C
- 40 to + 150 °C
Symbol
VRRM
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Value
200
Unit
V
October 1999 Ed : 2A
1/6




BYW99PI-200 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BYW99P/PI/W
Fig.7 : Average current versus ambient
temperature.
(δ = 0.5) (SOT93, TO247)
I F(a v)( A)
16
15
14 Rth(j-a)=Rth(j-c)
13
12
11
10
9 Rth(j-a)=15 o C/W
8
7 =0.5
6T
5
4
3
2
1 =tp/T
tp Tamb(oC)
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Fig.8 : Average current versus ambient
temperature.
(δ = 0.5) (TOP3I)
16 IF(av)(A)
15
14 Rth(j-a)=Rth(j-c)
13
12
11
10
9 Rth(j-a)=15 o C/W
8
7 =0.5
6T
5
4
3
2
1 =tp/T
tp Tamb(oC)
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Fig.9 : Junction capacitance versus reverse Fig.10 : Recovery charges versus dIF/dt.
voltage applied (Typical values).
C(pF)
200
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
1
F=1Mhz Tj=25oC
VR(V)
10
100 200
60 QRR(nC)
55 90%CONFIDENCE
50 IF=IF(av)
45
Tj=100 OC
40
35
30
25 Tj=25 OC
20
15
10
5 dIF/dt(A/us)
0
1 10
100
Fig.11 : Peak reverse current versus dIF/dt.
Fig.12 : Dynamic parameters versus junction
temperature.
IRM(A)
3.0
90%CONFIDENCE
2.5 IF=IF(av)
2.0
Tj=100 OC
1.5
1.0
0.5
0.0
1
20
Tj=25 OC
dIF/dt(A/us)
10 100
Q RR ; IR M[T j] /QRR ; IRM [ Tj=12 5o C]
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
IRM
QRR
0.25
0.00
0
Tj(oC)
25 50 75 100 125 150
4/6

4페이지












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