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부품번호 | BYW99PI-200 기능 |
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기능 | HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES | ||
제조업체 | STMicroelectronics | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
® BYW99P/PI/W
HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
FEATURES
SUITED FOR SMPS
VERY LOW FORWARD LOSSES
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES
HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY
HIGH AVALANCHE ENERGY CAPABILITY
INSULATED VERSION TOP3I :
Insulating voltage = 2500 V DC
Capacitance = 12 pF
A1
A2
K
isolated
TOP3I
(Plastic)
BYW99PI-200
DESCRIPTION
Dual center tap rectifier suited for switchmode
power supply and high frequency DC to DC
converters.
Packaged in SOT93, TOP3I or TO247 this device
is intended for use in low voltage, high frequency
inverters, free wheeling and polarity protection
applications.
SOT93
(Plastic)
BYW99P-200
A2
K
A1
TO247
(Plastic)
BYW99W-200
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
IF(RMS)
IF(AV)
IFSM
Parameter
RMS forward current
Average forward current SOT93 / TO247
δ = 0.5
TOP3I
Surge non repetitive forward current
Tstg Storage and junction temperature range
Tj
Per diode
Tc=120°C Per diode
Tc=115°C Per diode
tp=10ms Per diode
sinusoidal
Value
35
15
15
200
Unit
A
A
A
- 40 to + 150 °C
- 40 to + 150 °C
Symbol
VRRM
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Value
200
Unit
V
October 1999 Ed : 2A
1/6
BYW99P/PI/W
Fig.7 : Average current versus ambient
temperature.
(δ = 0.5) (SOT93, TO247)
I F(a v)( A)
16
15
14 Rth(j-a)=Rth(j-c)
13
12
11
10
9 Rth(j-a)=15 o C/W
8
7 =0.5
6T
5
4
3
2
1 =tp/T
tp Tamb(oC)
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Fig.8 : Average current versus ambient
temperature.
(δ = 0.5) (TOP3I)
16 IF(av)(A)
15
14 Rth(j-a)=Rth(j-c)
13
12
11
10
9 Rth(j-a)=15 o C/W
8
7 =0.5
6T
5
4
3
2
1 =tp/T
tp Tamb(oC)
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Fig.9 : Junction capacitance versus reverse Fig.10 : Recovery charges versus dIF/dt.
voltage applied (Typical values).
C(pF)
200
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
1
F=1Mhz Tj=25oC
VR(V)
10
100 200
60 QRR(nC)
55 90%CONFIDENCE
50 IF=IF(av)
45
Tj=100 OC
40
35
30
25 Tj=25 OC
20
15
10
5 dIF/dt(A/us)
0
1 10
100
Fig.11 : Peak reverse current versus dIF/dt.
Fig.12 : Dynamic parameters versus junction
temperature.
IRM(A)
3.0
90%CONFIDENCE
2.5 IF=IF(av)
2.0
Tj=100 OC
1.5
1.0
0.5
0.0
1
20
Tj=25 OC
dIF/dt(A/us)
10 100
Q RR ; IR M[T j] /QRR ; IRM [ Tj=12 5o C]
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
IRM
QRR
0.25
0.00
0
Tj(oC)
25 50 75 100 125 150
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