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BUK130-50DL 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK130-50DL은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUK130-50DL 자료 제공

부품번호 BUK130-50DL 기능
기능 Logic level TOPFET SMD version of BUK119-50DL
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK130-50DL 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK130-50DL 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
Logic level TOPFET
SMD version of BUK119-50DL
Product specification
BUK130-50DL
DESCRIPTION
Monolithic temperature and
overload protected logic level power
MOSFET in TOPFET2 technology
assembled in a 3 pin surface mount
plastic package.
APPLICATIONS
General purpose switch for driving
lamps
motors
solenoids
heaters
in automotive systems and other
applications.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
VDS
ID
PD
Tj
RDS(ON)
Continuous drain source voltage
Continuous drain current
Total power dissipation
Continuous junction temperature
Drain-source on-state resistance
IISL
Input supply current
VIS = 5 V
FEATURES
TrenchMOS output stage
Current limiting
Overload protection
Overtemperature protection
Protection latched reset by input
5 V logic compatible input level
Control of output stage and
supply of overload protection
circuits derived from input
Low operating input current
permits direct drive by
micro-controller
ESD protection on all pins
Overvoltage clamping for turn
off of inductive loads
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
INPUT
O/V
CLAMP
RIG
LOGIC AND
PROTECTION
MAX.
50
20
90
150
28
650
UNIT
V
A
W
˚C
m
µA
DRAIN
POWER
MOSFET
PINNING - SOT404
PIN DESCRIPTION
1 input
2 drain
3 source
mb drain
SOURCE
Fig.1. Elements of the TOPFET.
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
mb D
TOPFET
2
13
I
P
S
May 2001 1 Rev 1.900




BUK130-50DL pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Logic level TOPFET
SMD version of BUK119-50DL
Product specification
BUK130-50DL
INPUT CHARACTERISTICS
The supply for the logic and overload protection is taken from the input.
Limits are for -40˚C Tmb 150˚C; typicals are for Tmb = 25˚C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
VIS(TO)
IIS
IISL
VISR
tlr
V(CL)IS
RIG
Input threshold voltage
Input supply current
Input supply current
Protection reset voltage1
Latch reset time
Input clamping voltage
Input series resistance2
to gate of power MOSFET
VDS = 5 V; ID = 1 mA
normal operation;
protection latched;
reset time tr 100 µs
VIS1 = 5 V, VIS2 < 1 V
II = 1.5 mA
Tmb = 25˚C
VIS = 5 V
VIS = 4 V
VIS = 5 V
VIS = 3 V
Tmb = 25˚C
0.6
1.1
100
80
200
130
1.5
10
5.5
-
TYP.
-
1.6
220
195
400
250
2
40
-
33
MAX. UNIT
2.4 V
2.1 V
400 µA
330 µA
650 µA
430 µA
2.9 V
100 µs
8.5 V
- k
SWITCHING CHARACTERISTICS
Tmb = 25˚C; VDD = 13 V; resistive load RL = 4 . Refer to waveform figure and test circuit.
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
td on Turn-on delay time
tr Rise time
td off Turn-off delay time
tf Fall time
VIS = 5 V
VIS = 0 V
-
-
-
-
TYP.
25
50
60
50
MAX. UNIT
50 µs
100 µs
120 µs
100 µs
1 The input voltage below which the overload protection circuits will be reset.
2 Not directly measureable from device terminals.
May 2001
4
Rev 1.900

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