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PDF BUK436W-200B Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BUK436W-200B
Descripción PowerMOS transistor
Fabricantes NXP Semiconductors 
Logotipo NXP Semiconductors Logotipo



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No Preview Available ! BUK436W-200B Hoja de datos, Descripción, Manual

Philips Semiconductors
PowerMOS transistor
Product Specification
BUK436W-200A/B
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode
field-effect power transistor in a
plastic envelope.
The device is intended for use in
Switched Mode Power Supplies
(SMPS), motor control, welding,
DC/DC and AC/DC converters, and
in general purpose switching
applications.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
VDS
ID
Ptot
RDS(ON)
BUK436
Drain-source voltage
Drain current (DC)
Total power dissipation
Drain-source on-state
resistance
MAX.
-200A
200
19
125
0.16
MAX.
-200B
200
17
125
0.2
UNIT
V
A
W
PINNING - SOT429 (TO247)
PIN DESCRIPTION
1 gate
2 drain
3 source
tab drain
PIN CONFIGURATION
1 23
SYMBOL
d
g
s
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
VDS
VDGR
±VGS
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
-
RGS = 20 k
-
-
-
-
ID Drain current (DC)
Tmb = 25 ˚C
ID Drain current (DC)
Tmb = 100 ˚C
IDM Drain current (pulse peak value) Tmb = 25 ˚C
Ptot Total power dissipation
Tstg Storage temperature
Tj Junction Temperature
Tmb = 25 ˚C
-
-
-
-
-
-
- 55
-
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
Rth j-mb
Rth j-a
PARAMETER
Thermal resistance junction to
mounting base
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
MAX.
200
200
30
-200A
19
12
76
-200B
17
11
68
125
150
150
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
˚C
˚C
MIN. TYP. MAX. UNIT
- - 1.0 K/W
- 45 - K/W
July 1997
1 Rev 1.000

1 page




BUK436W-200B pdf
Philips Semiconductors
PowerMOS transistor
Product Specification
BUK436W-200A/B
VGS / V
12
10
BUK456-200
VDS / V =40
8
160
6
4
2
0
0 10 20 30 40
QG / nC
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
VGS = f(QG); conditions: ID = 19 A; parameter VDS
IF / A
40
BUK456-200A
30
Tj / C = 150
25
20
10
0
012
VSDS / V
Fig.14. Typical reverse diode current.
IF = f(VSDS); conditions: VGS = 0 V; parameter Tj
July 1997
5 Rev 1.000

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet BUK436W-200B.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BUK436W-200APowerMOS transistorNXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BUK436W-200APowerMOS transistorNXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BUK436W-200BPowerMOS transistorNXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BUK436W-200BPowerMOS transistorNXP Semiconductors
NXP Semiconductors

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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