DataSheet.es    


PDF BUK456-60B Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BUK456-60B
Descripción PowerMOS transistor
Fabricantes NXP Semiconductors 
Logotipo NXP Semiconductors Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de BUK456-60B (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 7 Páginas

No Preview Available ! BUK456-60B Hoja de datos, Descripción, Manual

Philips Semiconductors
PowerMOS transistor
Product Specification
BUK456-60A/B
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode
field-effect power transistor in a
plastic envelope.
The device is intended for use in
Switched Mode Power Supplies
(SMPS), motor control, welding,
DC/DC and AC/DC converters, and
in automotive and general purpose
switching applications.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
VDS
ID
Ptot
Tj
RDS(ON)
BUK456
Drain-source voltage
Drain current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
MAX.
-60A
60
52
150
175
0.028
MAX.
-60B
60
51
150
175
0.03
UNIT
V
A
W
˚C
PINNING - TO220AB
PIN DESCRIPTION
1 gate
2 drain
3 source
tab drain
PIN CONFIGURATION
tab
1 23
SYMBOL
d
g
s
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
VDS
VDGR
±VGS
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
-
RGS = 20 k
-
-
-
-
ID Drain current (DC)
Tmb = 25 ˚C
ID Drain current (DC)
Tmb = 100 ˚C
IDM Drain current (pulse peak value) Tmb = 25 ˚C
Ptot Total power dissipation
Tstg Storage temperature
Tj Junction Temperature
Tmb = 25 ˚C
-
-
-
-
-
-
- 55
-
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
Rth j-mb
Rth j-a
PARAMETER
Thermal resistance junction to
mounting base
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
MAX.
60
60
30
-60A
52
36
208
-60B
51
36
200
150
175
175
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
˚C
˚C
MIN. TYP. MAX. UNIT
- - 1.0 K/W
- 60 - K/W
April 1993 1 Rev 1.100

1 page




BUK456-60B pdf
Philips Semiconductors
PowerMOS transistor
Product Specification
BUK456-60A/B
VGS / V
12
10
8
BUK456-50
VDS / V =10
40
6
4
2
0
0 20 40
QG / nC
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
VGS = f(QG); conditions: ID = 52 A; parameter VDS
IF / A
100
BUK456-50A
50
150 C
25 C
0
012
VSDS / V
Fig.14. Typical reverse diode current.
IF = f(VSDS); conditions: VGS = 0 V; parameter Tj
April 1993 5 Rev 1.100

5 Page










PáginasTotal 7 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet BUK456-60B.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BUK456-60APowerMOS transistorNXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BUK456-60AN-Channel MOSFET TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
BUK456-60BPowerMOS transistorNXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BUK456-60BN-Channel MOSFET TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar