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BUK482-100A 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK482-100A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUK482-100A 자료 제공

부품번호 BUK482-100A 기능
기능 PowerMOS transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK482-100A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK482-100A 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
PowerMOS transistor
Product Specification
BUK482-100A
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode
field-effect power transistor in a
plastic envelope suitable for surface
mount applications.
The device is intended for use in
automotive and general purpose
switching applications.
PINNING - SOT223
PIN DESCRIPTION
1 gate
2 drain
3 source
4 drain (tab)
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
VDS
ID
Ptot
Tj
RDS(ON)
Drain-source voltage
Drain current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance;
VGS = 10 V
MAX.
100
1.8
1.8
150
0.28
PIN CONFIGURATION
4
SYMBOL
d
123
g
s
UNIT
V
A
W
˚C
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
VDS
VDGR
±VGS
ID
ID
IDM
Ptot
Tstg
Tj
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Storage temperature
Junction Temperature
-
RGS = 20 k
-
Tamb = 25 ˚C
Tamb = 100 ˚C
Tamb = 25 ˚C
Tamb = 25 ˚C
-
-
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
MAX.
100
100
30
1.8
1.1
7.2
1.8
150
150
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
˚C
˚C
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
Rth j-b
Rth j-amb
PARAMETER
From junction to board1
From junction to ambient
CONDITIONS
Mounted on any PCB
Mounted on PCB of Fig.17
MIN.
-
-
TYP. MAX. UNIT
40 - K/W
- 70 K/W
1 Temperature measured 1-3 mm from tab.
January 1998
1
Rev 1.100




BUK482-100A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PowerMOS transistor
Product Specification
BUK482-100A
7 ID/ A
BUK482-100A
6
5
4
3
2
1
Tj/ C = 150
25
0
02468
VGS/ V
Fig.7. Typical transfer characteristics.
ID = f(VGS) ; conditions: VDS = 25 V; parameter Tj
gfs/ S
5
BUK482-100A
4
3
2
1
0
0246
ID/ A
Fig.8. Typical transconductance, Tj = 25 ˚C.
gfs = f(ID); conditions: VDS = 25 V
2.0 a
Normalised RDS(ON) = f(Tj)
1.5
1.0
0.5
0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
Tj / C
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = RDS(ON)/RDS(ON)25 ˚C = f(Tj); ID = 1.8 A; VGS = 10 V
VGS(TO) / V
4
3
2
max.
typ.
min.
1
0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
Tj / C
Fig.10. Gate threshold voltage.
VGS(TO) = f(Tj); conditions: ID = 1 mA; VDS = VGS
1E-01 ID / A
SUB-THRESHOLD CONDUCTION
1E-02
1E-03
2 % typ 98 %
1E-04
1E-05
1E-06
01234
VGS / V
Fig.11. Sub-threshold drain current.
ID = f(VGS); conditions: Tj = 25 ˚C; VDS = VGS
C / pF
10000
1000
Ciss
100
Coss
Crss
10
0 20 40
VDS / V
Fig.12. Typical capacitances, Ciss, Coss, Crss.
C = f(VDS); conditions: VGS = 0 V; f = 1 MHz
January 1998
4
Rev 1.100

4페이지










BUK482-100A 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PowerMOS transistor
Product Specification
BUK482-100A
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.11 g
0.32
0.24
6.7
6.3
3.1
2.9
4
B
A
0.2 M A
0.10
0.02
3.7 7.3
3.3 6.7
16 13
max
10
max
1.8 1.05
max 0.85
12
2.3 0.80
0.60
4.6
3
0.1 M B
(4x)
Fig.18. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to surface mounting instructions for SOT223 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
January 1998
7
Rev 1.100

7페이지


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