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BUK563-48C 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK563-48C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUK563-48C 자료 제공

부품번호 BUK563-48C 기능
기능 PowerMOS transistor Voltage clamped logic level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK563-48C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK563-48C 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
PowerMOS transistor
Voltage clamped logic level FET
Product specification
BUK563-48C
GENERAL DESCRIPTION
Protected N-channel enhancement
mode logic level field-effect power
transistor in a plastic envelope
suitable for surface mount
applications.
The device is intended for use in
automotive applications. It has
built-in zener diodes providing active
drain voltage clamping.
PINNING - SOT404
PIN DESCRIPTION
1 gate
2 drain
3 source
tab drain
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
V(CL)DSR
ID
Ptot
Tj
WDSRR
RDS(ON)
Drain-source clamp voltage
Drain current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Repetitive clamped turn off
energy; Tj = 150˚C
Drain-source on-state
resistance; VGS = 5 V
MIN. TYP. MAX. UNIT
40 48 58 V
21 A
75 W
175 ˚C
50 mJ
85 m
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
d
mb
2
13
g
s
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
VDS
VDG
±VGS
ID
ID
IDM
Ptot
Tstg
Tj
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
Drain current (pulse peak
value)
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
continuous
continuous
-
Tmb = 25 ˚C
Tmb = 100 ˚C
Tmb = 25 ˚C
Tmb = 25 ˚C
-
-
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER
Rth j-mb
Rth j-a
Thermal resistance junction to
heatsink
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
with heatsink compound
minimum footprint,
FR4 board (see fig. 18)
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
- 55
MAX.
30
30
15
21
15
84
75
175
175
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
˚C
˚C
MIN. TYP. MAX. UNIT
- - 2 K/W
- 50 - K/W
February 1996
1
Rev 1.000




BUK563-48C pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PowerMOS transistor
Voltage clamped logic level FET
Product specification
BUK563-48C
ID / A
40
10
30
BUK5Y3-48C
VGS / V = 5
4.5
4
20
3.5
10 3
2.5
0
0 2 4 6 8 10
VDS / V
Fig.5. Typical output characteristics, Tj = 25 ˚C.
ID = f(VDS); parameter VGS
RDS(ON) / Ohm
BUK5Y3-48C
0.5
2.5 3
3.5 VGS / V = 4
0.4
4.5
0.3
5
0.2
0.1
10
0
0
Fig.6.
10 20 30
VDS / V
40
Typical on-state resistance, Tj = 25 ˚C.
RDS(ON) = f(ID); parameter VGS
V(CL)DSR / V
51
BUK5Y3-48C
50
49
48
47
46
Tmb / degC =
45
150
44 25
-55
43
0 2 4 6 8 10 12
ID / A
Fig.7. Typical clamping voltage
V(CL)DSR = f(ID) ; conditions: RG = 10 k
ID / A
40
BUK5Y3-48C
30
20
10 Tmb / degC =
150
25
-55
0
01234567
VGS / V
Fig.8. Typical transfer characteristics.
ID = f(VGS) ; conditions: VDS = 25 V.
gfs / S
20
BUK5Y3-48C
15
10
5 Tmb / degC =
150
25
-55
0
0 10 20 30 40
Id / A
Fig.9. Typical transconductance.
gfs = f(ID); conditions: VDS = 25 V
V(CL)DSR / V
58
56
54
BUK5Y3-48C
Tmb / degC =
150
25
-55
52
50
48
46
44
12
5 10
RG / kOhm
Fig.10. Typical clamping voltgage
V(CL)DSR = f(RG) ; conditions: ID = 10 A.
20
February 1996
4
Rev 1.000

4페이지










BUK563-48C 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PowerMOS transistor
Voltage clamped logic level FET
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
10.3 max
4.5 max
1.4 max
11 max
15.4
Product specification
BUK563-48C
2.5
0.85 max
(x2)
0.5
2.54 (x2)
Fig.19. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
11.5
9.0
17.5
2.0
3.8
5.08
Fig.20. SOT404 : soldering pattern for surface mounting.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
February 1996
7
Rev 1.000

7페이지


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