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BUK7520-55 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK7520-55은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUK7520-55 자료 제공

부품번호 BUK7520-55 기능
기능 N-channel TrenchMOS standard level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK7520-55 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK7520-55 데이터시트, 핀배열, 회로
BUK7520-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 02 — 15 June 2010
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to
the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
1.2 Features and benefits
„ Low conduction losses due to low
on-state resistance
„ Q101 compliant
„ Suitable for standard level gate drive
sources
„ Suitable for thermally demanding
environments due to 175 °C rating
1.3 Applications
„ 12 V and 24 V loads
„ Automotive and general purpose
power switching
„ Motors, lamps and solenoids
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol Parameter
Conditions
VDS
drain-source
Tj 25 °C; Tj 175 °C
voltage
ID
drain current
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;
see Figure 1; see Figure 3
Ptot
total power
Tmb = 25 °C; see Figure 2
dissipation
Static characteristics
RDSon
drain-source
on-state
resistance
VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 175 °C;
see Figure 12; see Figure 13
VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C;
see Figure 12; see Figure 13
Avalanche ruggedness
EDS(AL)S
non-repetitive
drain-source
avalanche energy
ID = 48 A; Vsup 55 V; RGS = 50 ;
VGS = 10 V; Tj(init) = 25 °C;
unclamped
Min Typ Max Unit
- - 55 V
- - 54 A
- - 118 W
- - 40 m
- 17 20 m
- - 115 mJ




BUK7520-55 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK7520-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
103
ID
(A)
102
RDSon = VDS/ID
10 P
tp
δ=
T
tp
T
t
1
1
03nc66
D.C.
10
VDS (V)
tp = 10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
102
Fig 3. Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
BUK7520-55A
Product data sheet
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Rev. 02 — 15 June 2010
© NXP B.V. 2010. All rights reserved.
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BUK7520-55 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK7520-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
ID 200
(A) 180
160
140
03nc63
VGS (V) =
20
14
12
11
10
120 9.0
100 8.5
8.0
80 7.5
7.0
60
6.5
40 6.0
20 5.5
5.0
0 4.5
0 2 4 6 8 10
VDS (V)
30
RDSon
(mΩ)
25
03nc62
20
15
10
5
10 15 20 25
VGS (V)
Fig 5. Output characteristics: drain current as a
Fig 6. Drain-source on-state resistance as a function
function of drain-source voltage; typical values
of drain current; typical values
101
ID
(A)
102
03aa35
min typ max
25
gfs
(S)
20
03nc60
103
15
104
10
105
5
106
0246
VGS (V)
0
0 20 40 60 80
ID (A)
Fig 7. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 8. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values
BUK7520-55A
Product data sheet
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