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BUK95180-100A 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK95180-100A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUK95180-100A 자료 제공

부품번호 BUK95180-100A 기능
기능 Logic level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK95180-100A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK95180-100A 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
TrenchMOStransistor
Logic level FET
Product specification
BUK95180-100A
BUK96180-100A
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic
level field-effect power transistor in a
plastic envelope available in
TO220AB and SOT404 . Using
trench’ technology which features
very low on-state resistance. It is
intended for use in automotive and
general purpose switching
applications.
PINNING
TO220AB & SOT404
PIN DESCRIPTION
1 gate
2 drain
3 source
tab/mb drain
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
VDS
ID
Ptot
Tj
RDS(ON)
Drain-source voltage
Drain current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
VGS = 5 V
VGS = 10 V
MAX.
100
11
54
175
180
173
PIN CONFIGURATION
mb tab
SYMBOL
d
2
13
SOT404
BUK96180-100A
12 3
TO220AB
BUK95180-100A
g
s
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
VDS
VDGR
±VGS
ID
ID
IDM
Ptot
Tstg, Tj
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Storage & operating temperature
-
RGS = 20 k
-
Tmb = 25 ˚C
Tmb = 100 ˚C
Tmb = 25 ˚C
Tmb = 25 ˚C
-
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
Rth j-mb
Rth j-a
Rth j-a
PARAMETER
Thermal resistance junction to
mounting base
Thermal resistance junction to
ambient(TO220AB)
Thermal resistance junction to
ambient(SOT404)
CONDITIONS
-
in free air
Minimum footprint, FR4
board
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
100
100
15
11
7.7
44
54
175
TYP.
-
60
50
MAX.
2.8
-
-
UNIT
V
A
W
˚C
m
m
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
˚C
UNIT
K/W
K/W
K/W
May 2000 1 Rev 1.100




BUK95180-100A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
TrenchMOStransistor
Logic level FET
Product specification
BUK95180-100A
BUK96180-100A
25
ID/A
20
VGS/V =
10.0
5.0
4.0
3.8
15 3.6
3.4
10 3.2
3.0
5 2.8
2.6
2.4
0 2.2
0 2 4 6 8 10
VDS/V
Fig.5. Typical output characteristics, Tj = 25 ˚C.
ID = f(VDS); parameter VGS
RDS(ON)/mOhm
240
220
200
180
160
140
3.0 3.2
3.4
3.6
3.8
4.0
5.0
120
100
2
4
6 ID/A 8
10 12
Fig.6. Typical on-state resistance, Tj = 25 ˚C.
RDS(ON) = f(ID); parameter VGS
RDS(ON) Ohm
240
230
220
210
200
190
180
170
160
150
3 4 5 6 7 8 9 10
VGS/V
Fig.7. Typical on-state resistance, Tj = 25 ˚C.
RDS(ON) = f(VGS); conditions: ID = 25 A;
12
ID/A
10
8
6
Tj/C= 175
25
4
2
0
02468
VGS/V
Fig.8. Typical transfer characteristics.
ID = f(VGS) ; conditions: VDS = 25 V; parameter Tj
16
gfs/S
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6 ID/A 8
10 12 14
Fig.9. Typical transconductance, Tj = 25 ˚C.
gfs = f(ID); conditions: VDS = 25 V
3a
Rds(on) normalised to 25degC
2.5
2
1.5
1
0.5
-100
-50
0 50 100 150 200
Tmb / degC
Fig.10. Normalised drain-source on-state resistance.
a = RDS(ON)/RDS(ON)25 ˚C = f(Tj); ID = 25 A; VGS = 5 V
May 2000 4 Rev 1.100

4페이지










BUK95180-100A 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
TrenchMOStransistor
Logic level FET
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
10,3
max
3,7
2,8
1,3
3,0 max
not tinned
1,3
max 1 2 3
(2x)
3,0
13,5
min
0,9 max (3x)
2,54 2,54
Product specification
BUK95180-100A
BUK96180-100A
4,5
max
5,9
min
15,8
max
0,6
2,4
Fig.20. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
May 2000 7 Rev 1.100

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