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BUL310FP 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 BUL310FP은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUL310FP 자료 제공

부품번호 BUL310FP 기능
기능 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


BUL310FP 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUL310FP 데이터시트, 핀배열, 회로
® BUL310FP
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
s STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPE
s NPN TRANSISTOR
s HIGH VOLTAGE CAPABILITY
s LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
)s MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
t(sRELIABLE OPERATION
cs VERY HIGH SWITCHING SPEED
us FULLY CHARACTERIZED AT 125oC
ds LARGE RBSOA
ros FULLY MOLDED INSULATED PACKAGE
Ps 2000 V DC INSULATION (U.L. COMPLIANT)
teAPPLICATIONS
les HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR
soTV
bs ELECTRONIC BALLASTS FOR
OFLUORESCENT LIGHTING
-s FLYBACK AND FORWARD SINGLE
)TRANSISTOR LOW POWER CONVERTERS
t(sDESCRIPTION
ucThe BUL310FP is manufactured using high
dvoltage Multi Epitaxial Planar technology for high
roswitching speeds and high voltage capability. It
Puses a Cellular Emitter structure with planar edge
termination to enhance switching speeds while
temaintaining a wide RBSOA.
leThe BUL series is designed for use in lighting
soapplications and low cost switch-mode power
Obsupplies.
3
2
1
TO-220FP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tstg
Tj
Parameter
Collector-Emitter Voltage (VBE = 0)
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
Collector Current
Collector Peak Current (tp <5 ms)
Base Current
Base Peak Current (tp <5 ms)
Total Dissipation at Tc = 25 oC
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
1000
500
9
5
10
3
4
36
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
oC
oC
April 2003
1/6




BUL310FP pdf, 반도체, 판매, 대치품
BUL310FP
Reverse Biased SOA
te Product(s)Figure 1: Inductive Load Switching Test Circuit
te Product(s) - Obsole(1) Fast electronic switch
(2) Non-inductive Resistor
Obsole(3) Fast recovery rectifier
4/6

4페이지












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