|
|
|
부품번호 | BUL54B 기능 |
|
|
기능 | ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR | ||
제조업체 | Seme LAB | ||
로고 | |||
SEME
LAB
BUL54B
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
10.2
ADVANCED
DISTRIBUTED BASE DESIGN
HIGH VOLTAGE
HIGH SPEED NPN
SILICON POWER TRANSISTOR
3.6 Dia.
Designed for use in
electronic ballast applications
123
1.3
0 .8 5
2.54 2.54
ISOLATED TO220
Pin 1 – Base Pin 2 – Collector Pin 3 – Emitter
• SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE
• HIGH VOLTAGE
• FAST SWITCHING
• HIGH ENERGY RATING
• MILITARY AND HI–REL VERSIONS
AVAILABLE IN METAL AND CERAMIC
SURFACE MOUNT PACKAGES
FEATURES
• Multi–base for efficient energy distribution
across the chip resulting in significantly
improved switching and energy ratings
across full temperature range.
• Ion implant and high accuracy masking for
tight control of characteristics from batch to
batch.
• Triple Guard Rings for improved control of
high voltages.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
Collector – Base Voltage
800V
VCEO
Collector – Emitter Voltage (IB = 0)
400V
VEBO
Emitter – Base Voltage (IC = 0)
10V
IC Continuous Collector Current
5A
IC(PK)
Peak Collector Current
8A
IB Base Current
3A
Ptot Total Dissipation at Tcase = 25°C
70W
Tstg Operating and Storage Temperature Range
–55 to +150°C
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 3/95
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ BUL54B.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUL54 | ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR | Seme LAB |
BUL54A | ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR | Seme LAB |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |