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BUP305 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 BUP305은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUP305 자료 제공

부품번호 BUP305 기능
기능 IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode)
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


BUP305 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 7 페이지수

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BUP305 데이터시트, 핀배열, 회로
BUP 305 D
IGBT With Antiparallel Diode
Preliminary data
• Low forward voltage drop
• High switching speed
• Low tail current
• Latch-up free
• Including fast free-wheel diode
Type
BUP 305 D
VCE IC
1200V 12A
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
RGE = 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
TC = 25 °C
TC = 90 °C
Pulsed collector current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
TC = 90 °C
Diode forward current
TC = 90 °C
Pulsed diode current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
Power dissipation
TC = 25 °C
Chip or operating temperature
Storage temperature
Package
TO-218 AB
Symbol
VCE
VCGR
VGE
IC
ICpuls
IF
IFpuls
Ptot
Tj
Tstg
Pin 1 Pin 2 Pin 3
GCE
Ordering Code
Q67040-A4225-A2
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
12
8
A
24
16
8
48
100
-55 ... + 150
-55 ... + 150
W
°C
Semiconductor Group
1
Dec-02-1996




BUP305 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BUP 305 D
Power dissipation
Ptot = ƒ(TC)
parameter: Tj 150 °C
110
W
90
Ptot
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Safe operating area
IC = ƒ(VCE)
parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj 150 °C
10 2
A
IC 10 1
tp = 25.0µs
100 µs
Collector current
IC = ƒ(TC)
parameter: VGE 15 V , Tj 150 °C
12
A
10
IC
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
IGBT
10 1
K/W
ZthJC 10 0
10 0
10 -1
1 ms
10 ms
DC
10 -2
10 0 10 1 10 2 10 3 V
VCE
Semiconductor Group
4
10 -1
10 -2
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
tp
s 10 0
Dec-02-1996

4페이지










BUP305 전자부품, 판매, 대치품
Typ. switching time
t = f (RG), inductive load, Tj = 125 °C
parameter: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, IC = 5 A
BUP 305 D
Typ. forward characteristics
IF = f (VF)
parameter: Tj
10
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
Diode
10 1
A
IF 8
7
K/W
Z
thJC
10 0
6
Tj=125°C
Tj=25°C
5
D = 0.50
4 0.20
10 -1
0.10
3 0.05
0.02
2
single pulse
0.01
1
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
V 3.0
VF
10 -2
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
tp
s 10 0
Semiconductor Group
7
Dec-02-1996

7페이지


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