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BUP307 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 BUP307은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUP307 자료 제공

부품번호 BUP307 기능
기능 IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated)
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


BUP307 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUP307 데이터시트, 핀배열, 회로
BUP 307
IGBT
Preliminary data
• Low forward voltage drop
• High switching speed
• Low tail current
• Latch-up free
• Avalanche rated
Type
BUP 307
VCE IC
1200V 35A
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
RGE = 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
TC = 25 °C
TC = 90 °C
Pulsed collector current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
TC = 90 °C
Avalanche energy, single pulse
IC = 15 A, VCC = 50 V, RGE = 25
L = 200 µH, Tj = 25 °C
Power dissipation
TC = 25 °C
Chip or operating temperature
Storage temperature
Package
TO-218 AB
Symbol
VCE
VCGR
VGE
IC
ICpuls
EAS
Ptot
Tj
Tstg
Pin 1
G
Pin 2
C
Pin 3
E
Ordering Code
Q67078-A4201-A2
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
35
23
A
70
46
mJ
23
310
-55 ... + 150
-55 ... + 150
W
°C
Semiconductor Group
1
Dec-07-1995




BUP307 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BUP 307
Power dissipation
Ptot = ƒ(TC)
parameter: Tj 150 °C
320
W
Ptot
240
200
160
120
80
40
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Safe operating area
IC = ƒ(VCE)
parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj 150 °C
10 2
tp = 3.5µs
Collector current
IC = ƒ(TC)
parameter: VGE 15 V , Tj 150 °C
36
A
IC 28
24
20
16
12
8
4
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
IGBT
10 0
A
IC
10 1
10 µs
100 µs
K/W
ZthJC
10 -1
10 0
1 ms
10 ms
DC
10 -1
10 0 10 1 10 2 10 3 V
VCE
10 -2
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
tp
s 10 0
Semiconductor Group
4
Dec-07-1995

4페이지










BUP307 전자부품, 판매, 대치품
Package Outlines
Dimensions in mm
Weight: 8 g
BUP 307
Semiconductor Group
7
Dec-07-1995

7페이지


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