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부품번호 | BUP403 기능 |
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기능 | IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
BUP 403
IGBT
Preliminary data
• Low forward voltage drop
• High switching speed
• Low tail current
• Latch-up free
• Avalanche rated
Type
BUP 403
VCE IC
600V 42A
Package
TO-220 AB
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
RGE = 20 kΩ
Gate-emitter voltage
DC collector current, (limited by bond wire)
TC = 60 °C
TC = 90 °C
Pulsed collector current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
TC = 90 °C
Avalanche energy, single pulse
IC = 25 A, VCC = 50 V, RGE = 25 Ω
L = 200 µH, Tj = 25 °C
Power dissipation
TC = 25 °C
Chip or operating temperature
Storage temperature
Symbol
VCE
VCGR
VGE
IC
ICpuls
EAS
Ptot
Tj
Tstg
Pin 1
G
Pin 2
C
Pin 3
E
Ordering Code
C67078-A4406-A2
Values
600
Unit
V
600
± 20
42
32
A
104
64
mJ
65
200
- 55 ... + 150
- 55 ... + 150
W
°C
Semiconductor Group
1
Jul-31-1996
BUP 403
Power dissipation
Ptot = ƒ(TC)
parameter: Tj ≤ 150 °C
220
W
Ptot 180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Collector current
IC = ƒ(TC)
parameter: VGE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C
55
A
IC 45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Safe operating area
IC = ƒ(VCE)
parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj ≤ 150 °C
10 3
A
IC 10 2
tp = 12.0µs
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
IGBT
10 0
K/W
ZthJC
10 -1
10 1
10 0
10 -1
10 0
10 1
Semiconductor Group
100 µs
1 ms
10 ms
DC
10 2 V 10 3
VCE
4
10 -2
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
tp
s 10 0
Jul-31-1996
4페이지 BUP 403
Typ. gate charge
VGE = ƒ(QGate)
parameter: IC puls = 30 A
20
V
VGE 16
14
100 V
12
10
8
6
4
2
0
0 20 40 60 80
300 V
100 nC 130
QGate
Typ. capacitances
C = f (VCE)
parameter: VGE = 0 V, f = 1 MHz
10 1
nF
C
10 0
Ciss
10 -1
Coss
Crss
10 -2
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VCE
Short circuit safe operating area
ICsc = f (VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = ± 15 V, tsc ≤ 10 µs, L < 50 nH
Reverse biased safe operating area
ICpuls = f (VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = 15 V
10 2.5
ICsc/IC(90°C)
6
ICpuls/IC
1.5
4 1.0
2
0
0 100 200 300 400 500 600 V 800
VCE
Semiconductor Group
7
0.5
0.0
0
100 200 300 400 500 600
V 800
VCE
Jul-31-1996
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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BUP400 | IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated) | Siemens Semiconductor Group |
BUP400D | IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode) | Siemens Semiconductor Group |
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